一种用于制备复合YAG晶体的方法技术

本申请实施例公开了一种用于制备复合YAG晶体的方法。所述制备复合YAG晶体的方法包括：将掺杂YAG晶体置于反应腔内；对所述掺杂YAG晶体进行预热处理；将第一金属有机源、第二金属有机源以及第一载气通入所述反应腔；以及，在预设温度下，基于所述第一金属有机源、所述第二金属有机源以及所述第一载气，在预热后的掺杂YAG晶体上以预设沉积速率沉积生长纯YAG晶体，形成包括所述掺杂YAG晶体和所述纯YAG晶体的复合YAG晶体。通过本申请实施例，可以方便高效地制备复合YAG晶体，且使用复合YAG晶体可以提高激光器的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备复合YAG晶体的方法
本申请涉及激光
，特别涉及一种用于制备复合YAG激光晶体的方法。
技术介绍
半导体泵浦固体激光器在材料加工、光纤通讯、生物医疗以及军事国防等领域具有重要的应用。激光晶体（例如，掺杂YAG晶体）是固体激光器中的核心部分。固体激光器大功率泵浦会导致激光晶体因吸收泵浦辐射而产生较高的热效应，影响激光器的光束质量、光转换效率、输出功率等。掺杂YAG晶体（例如，Nd:YAG）是一种性能优良的激光晶体，但由于热效应沉积影响了其在大功率固体激光器中的应用。目前，通常使用复合YAG晶体来减少激光晶体的热效应，其工作原理是纯YAG晶体对泵浦光不吸收，通过扩散作用将掺杂YAG晶体吸收的热量传导到纯YAG晶体，从而提高激光晶体的散热性能。然而，由于制备复合YAG晶体的设备或参数较复杂，容易导致所制备的复合YAG晶体在复合界面出现气泡、开裂等，进而影响其性能。因此，有必要提供一种简单高效且方便控制的复合YAG晶体制备方法。
技术实现思路
本申请实施例之一提供一种用于制备复合YAG晶体方法。所述方法包括：将掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备复合YAG晶体的方法，其特征在于，所述方法包括：/n将掺杂YAG晶体置于反应腔内；/n对所述掺杂YAG晶体进行预热处理；/n将第一金属有机源、第二金属有机源以及第一载气通入所述反应腔；以及/n在预设温度下，基于所述第一金属有机源、所述第二金属有机源以及所述第一载气，在预热后的掺杂YAG晶体上以预设沉积速率沉积生长纯YAG晶体，形成包括所述掺杂YAG晶体和所述纯YAG晶体的复合YAG晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于制备复合YAG晶体的方法，其特征在于，所述方法包括：
将掺杂YAG晶体置于反应腔内；
对所述掺杂YAG晶体进行预热处理；
将第一金属有机源、第二金属有机源以及第一载气通入所述反应腔；以及
在预设温度下，基于所述第一金属有机源、所述第二金属有机源以及所述第一载气，在预热后的掺杂YAG晶体上以预设沉积速率沉积生长纯YAG晶体，形成包括所述掺杂YAG晶体和所述纯YAG晶体的复合YAG晶体。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述掺杂YAG晶体进行预热处理前，所述方法还包括：
向所述反应腔内通入第二载气，用于排除所述反应腔内的空气，所述第二载气为惰性气体；以及
对所述反应腔进行抽真空处理。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述掺杂YAG晶体进行预热处理包括：
将所述掺杂YAG晶体置于加热平台上；以及
通过转动所述加热平台，以转动方式对所述掺杂YAG晶体进行所述预热处理。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述掺杂YAG晶体置于加热平台上包括：
通过吸附方式将所述掺杂YAG晶体置于所述加热平台上。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将第一金属有机源、第二金属有机源以及第一载气通入所述反应腔前，所述方法还包括：
将第一金属有机前驱体置于第一处理装置中，对所述第一金属有机前驱体进行第一加热处理，得到所述第一金属有机源；以及
将第二金属有机前驱体置于第二处理装置中，对所述第二金属有机前驱体进行第二加热处理，得到所述第二金属有机源。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，顾鹏，梁振兴，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51