一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法技术

本发明专利技术公开了一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，将硫酸钠和过渡金属氧化物混合后置于气相沉积炉中，在含氢气的气氛下，于温度至少为700℃条件下反应，在基底表面沉积生长得到过渡金属硫化物。本发明专利技术以高熔点硫酸钠为硫源，过渡金属氧化物为金属源，通过控制硫源和金属源同时释放，保证了生长阶段硫源的充足供应和可控扩散，得到缺陷少、结晶度高的二维过渡金属硫化物。

【技术实现步骤摘要】
一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法
本专利技术属于纳米材料
，涉及一种制备过渡金属硫化物的方法，特别涉及一种以高熔点硫酸钠为硫源，通过控制硫源和金属源扩散，制备高质量过渡金属硫化物的方法。
技术介绍
在二维过渡金属硫化物的化学气相沉积过程中，硫源会与金属源发生氧化还原反应，或者同时包含硫源与金属源的化合物发生分解，生成对应硫化物。目前报道的过渡金属硫化物制备中，硫源几乎都具有挥发性，常见的为HS(CH2)2SH或HSC(CH3)3[1]，H2S[2]，(NH4)WS4和硫粉等[3]。前两种物质为有机物，熔沸点极低(～200℃)，而化学气相沉积生长过渡金属硫化物一般在中高温区。巨大的熔沸点差异不利于控制硫源的挥发，且硫醇类具有恶臭味。H2S在室温下是还原性气体，因此在制备TMD时需全程提供气源，但这种气体具有臭鸡蛋味且有毒性，对环境造成破坏。其与氧化物的反应机理已被报道。报道发现H2S与金属氧化物(以WO3为例)反应优先得到中间体WO3-x，之后生成硫化物。硫粉是目前生长硫化物报道最多的硫源，熔点119℃，沸点444.6℃，无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：将硫酸钠和过渡金属氧化物混合后置于气相沉积炉中，在含氢气的气氛下，于温度至少为700℃条件下反应，在基底表面沉积生长得到过渡金属硫化物。/n

【技术特征摘要】
1.一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：将硫酸钠和过渡金属氧化物混合后置于气相沉积炉中，在含氢气的气氛下，于温度至少为700℃条件下反应，在基底表面沉积生长得到过渡金属硫化物。


2.根据权利要求1所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述过渡金属氧化物为WO3、MoO3或ZrO2。


3.根据权利要求1所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述硫酸钠和过渡金属氧化物的摩尔比至少为2：1。


4.根据权利要求3所述的一种以高熔点硫酸钠为硫源制备过渡金属硫化物的方法，其特征在于：所述硫酸钠...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘松，靳媛媛，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43