【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置
本专利技术涉及一种对光进行处理的半导体装置即光半导体装置，该光半导体装置是接受(接收)光的平面受光半导体装置、发出(发送)光的平面发光半导体装置、包含接受光的平面受光元件以及发出光的平面发光元件等光元件的半导体装置等。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种光学式距离传感器，其采用了混合集成电路(模块)的方式，即，将发光元件、位置检测受光元件、控制处理用集成电路安装于引线框，在发光元件以及位置检测受光元件的上方分别组合了发光侧透镜以及受光侧透镜。在专利文献2中公开了一种光半导体元件(半导体装置)，其采用了混合集成电路(模块)的方式，即，在半导体基板的外延层形成光元件以及电气功能元件，在半导体基板的上方配置形成有微透镜的盖基板，针对半导体基板和盖基板，通过在外周侧形成的封装构造而对内部进行封装。在专利文献3中公开了一种受光模块，其在形成有配线图案的有机膜内，加热以及加压而埋入了集成电路部件、光电转换元件，在光电转换元件上方的有机膜表面形成有凸透镜。在专利文献4中公开了一种红外线受光集成电路，其在安装有红外线受光元件的...
【技术保护点】
1.一种光半导体装置，其具有：/n半导体基板；/n光通信部，其设置于所述半导体基板，是接受光信号的受光部或者发出所述光信号的发光部；/n层间膜，其覆盖所述半导体基板以及所述光通信部；/n菲涅尔透镜，其设置于所述层间膜的在远离所述半导体基板侧被平坦化的面，供所述光信号穿过；以及/n保护膜，其覆盖所述菲涅尔透镜以及所述层间膜，且折射率大于所述层间膜，所述保护膜的远离所述层间膜侧的面被平坦化。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光半导体装置，其具有：
半导体基板；
光通信部，其设置于所述半导体基板，是接受光信号的受光部或者发出所述光信号的发光部；
层间膜，其覆盖所述半导体基板以及所述光通信部；
菲涅尔透镜，其设置于所述层间膜的在远离所述半导体基板侧被平坦化的面，供所述光信号穿过；以及
保护膜，其覆盖所述菲涅尔透镜以及所述层间膜，且折射率大于所述层间膜，所述保护膜的远离所述层间膜侧的面被平坦化。
2.一种光半导体装置，其具有：
半导体基板；
受光部，其设置于所述半导体基板，接受光信号；
发光部，其设置于所述半导体基板，发出所述光信号；
层间膜，其覆盖所述半导体基板、所述受光部以及所述发光部；
菲涅尔透镜，其设置于所述层间膜的在远离所述半导体基板侧被平坦化的面，供所述光信号穿过；以及
保护膜，其覆盖所述菲涅尔透镜以及所述层间膜，且折射率大于所述层间膜，所述保护膜的远离所述层间膜侧的面被平坦化。
3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
具有在所述半导体基板设置的集成电路，
所述光通信部是所述受光部，
所述集成电路将由所述受光部接受的所述光信号转换为电信号而进行信号处理。
4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
具有在所述半导体基板设置的集成电路，
所述光通信部是所述发光部，
所述集成电路生成作为由所述发光部发出的所述光信号的基础的电信号。
5.根据权利要求2所述的光半导体装置，其特征在于，
具有在所述半导体基板设置的集成电路，
所述集成电路将由所述受光部接受的所述光信号转换为电信号而进行信号处理，并且生成作为由所述发光部发出的所述光信号的基础的电信号。
6.一种光半导体装置，其特征在于，
具有2个权利要求5所述的光半导体装置即第一光收发器以及第二光收发器，
配置为，所述第一光收发器的所述受光部与所述第二光收发器的所述发光部相对，且所述第一光收发器的所述发光部与所述第二光收发器的所述受光部相对，
在所述第一光收发器与所述第二光收发器之间对所述光信号进行通信。
7.根据权利要求6所述的光半导体装置，其特征在于，
所述第一光收发器具有：
外部系统受光部，其接受来自除了所述第二光收发器以外的外部系统的光信号；或者
外部系统光通信部，其是向所述外部系统发出光信号的外部系统发光部。
8.根据权利要求6所述的光半导体装置，其特征在于，
所述第一光收发器具有：
外部系统受光部，其接受来自除了所述第二光收发器以外的外部系统的光信号；以及
外部系统发光部，其向所述外部系统发出光信号。
9.一种光半导体装置，其特征在于，具有：
光发送器，其同时或者以时分方式发出包含多个波长的光信号；以及
光接收器，其以与所述光发送器相对的方式配置，与所述波长相应地接受来自所述光发送器的所述光信号...
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