存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法技术

一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有导电栅极，并且具有邻近于所述导电栅极的电荷阻挡区域。所述电荷阻挡区域包含氮氧化硅和二氧化硅。电荷存储区域邻近于所述电荷阻挡区域。隧穿材料邻近于所述电荷存储区域。沟道材料邻近于所述隧穿材料。所述隧穿材料位于所述沟道材料与所述电荷存储区域之间。一些实施例包含存储器阵列。一些实施例包含形成组合件(例如，存储器阵列)的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法
存储器单元(例如，NAND存储器单元)、存储器阵列(例如，NAND存储器阵列)以及形成存储器阵列的方法。
技术介绍
存储器为电子系统提供数据存储。闪速存储器是一种类型的存储器，并且在现代计算机和装置中具有许多用途。例如，现代个人计算机可以具有存储在闪速存储器芯片上的BIOS。作为另一个实例，计算机和其它装置利用固态驱动器中的闪速存储器替代常规的硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又另一个实例，闪速存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为其使制造商能够在新通信协议变得标准化时对其进行支持，并能够提供远程升级装置以增强特征的能力。NAND可以是闪速存储器的基本架构，并且可以被配置成包括竖直堆叠的存储器单元。在具体地描述NAND之前，更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系可能是有帮助的。图1示出了现有技术装置100的框图，所述现有技术装置包含存储器阵列102，所述存储器阵列具有沿着存取线104(例如，用于传导信号WL0到WLm的字线)和第一数据线106(例如，用于传导信号BL0到BLn的位线)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器单元，其包括：/n导电栅极；/n电荷阻挡区域，所述电荷阻挡区域邻近于所述导电栅极；所述电荷阻挡区域包括氮氧化硅和二氧化硅；/n电荷存储区域，所述电荷存储区域邻近于所述电荷阻挡区域；/n隧穿材料，所述隧穿材料邻近于所述电荷存储区域；以及/n沟道材料，所述沟道材料邻近于所述隧穿材料，所述隧穿材料位于所述沟道材料与所述电荷存储区域之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171227 US 15/855,0891.一种存储器单元，其包括：
导电栅极；
电荷阻挡区域，所述电荷阻挡区域邻近于所述导电栅极；所述电荷阻挡区域包括氮氧化硅和二氧化硅；
电荷存储区域，所述电荷存储区域邻近于所述电荷阻挡区域；
隧穿材料，所述隧穿材料邻近于所述电荷存储区域；以及
沟道材料，所述沟道材料邻近于所述隧穿材料，所述隧穿材料位于所述沟道材料与所述电荷存储区域之间。


2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡区域包括靠近所述导电栅极的所述氮氧化硅，并且包括通过所述氮氧化硅与所述导电栅极间隔开的所述二氧化硅。


3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡区域的所述氮氧化硅直接抵靠介电屏障区域，并且其中所述介电屏障区域直接抵靠所述导电栅极的导电材料。


4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡区域的所述二氧化硅直接抵靠所述电荷存储区域。


5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷存储区域包括氮化硅，并且其中所述氮化硅直接抵靠所述电荷阻挡区域的所述二氧化硅。


6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷阻挡区域在所述导电栅极与所述电荷存储区域之间的厚度处于约到约的范围内，并且其中所述电荷阻挡区域的所述二氧化硅在所述导电栅极与所述电荷存储区域之间的厚度处于约到约的范围内。


7.一种组合件，其包括：
交替的绝缘层和字线层的竖直堆叠，所述字线层包括导电区域；
电荷存储区域，所述电荷存储区域邻近于所述导电区域；以及
电荷阻挡区域，所述电荷阻挡区域位于所述电荷存储区域与所述导电区域之间；所述电荷阻挡区域包括沿着氮氧化硅竖直地延伸的二氧化硅；所述二氧化硅位于所述氮氧化硅与所述电荷存储区域之间。


8.根据权利要求7所述的组合件，其包括沟道材料，所述沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸；并且其中所述电荷存储区域位于所述导电区域与所述沟道材料之间。


9.根据权利要求8所述的组合件，其中所述沟道材料沿着竖直方向蜿蜒，其中沿着所述绝缘层的所述沟道材料的区段向内突出，并且其中沿着所述导电层的所述沟道材料的区段向外突出。


10.根据权利要求9所述的组合件，其中所述导电区域具有凹竖直面。


11.根据权利要求7所述的组合件，其中所述电荷存储区域被配置为沿着所述导电区域的结构；其中所述结构通过所述绝缘层的中间区域彼此竖直地间隔开。


12.根据权利要求7所述的组合件，其包括介电屏障区域，所述介电屏障区域位于所述导电区域与所述电荷阻挡区域的所述氮氧化硅之间。


13.根据权利要求7所述的组合件，其中所述电荷阻挡区域的所述氮氧化硅具有介于所述电荷阻挡区域的所述二氧化硅与所述电荷存储区域之间的厚度，并且其中所述厚度处于约到约的范围内。


14.一种存储器阵列，其包括：
交替的绝缘层和字线层的竖直堆叠；
沟道材料，所述沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸；
所述字线层包括导电区域；所述导电区域通过间隙与所述沟道材料间隔开；
所述绝缘层包括至少位于所述间隙的部分的上方和下方的突出部；
电荷存储区域，所述电荷存储区域位于所述间隙内；所述电荷存储区域通过所述突出部的中间区域彼此竖直地间隔开；以及
电荷阻挡区域，所述电荷阻挡区域位于所述间隙内并且位于所述电荷存储区域与所述导电区域之间；所述电荷阻挡区域包括沿着氮氧化硅竖直地延伸的二氧化硅；所述二氧化硅位于所述氮氧化硅与所述电荷存储区域之间。


15.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述沟道材料沿着竖直方向蜿蜒，其中沿着所述绝缘层的所述沟道材料的区段向内突出，并且其中沿着所述导电层的所述沟道材料的区段向外突出。


16.根据权利要求15所述的存储器阵列，其中所述导电区域具有凹竖直面。


17.根据权利要求14所述的存储器阵列，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昌汉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US