【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用牺牲导电堆叠来防止腐蚀的方法本专利技术大体上涉及防止铜连接的腐蚀，且更具体来说，涉及使用牺牲导电堆叠来防止腐蚀的方法。
技术介绍
当前，即使当完成半导体晶片的制造时，封装集成电路(IC)芯片的形成也可能需要多个步骤及在多个位置进行。由于所涉及的潜在步骤及可能经历的潜在延迟，因此必须保护可能暴露于空气的任何铜连接以防止腐蚀。对于仍作为晶片的一部分的至少一些IC芯片，在防腐蚀方法就位的同时还必须执行使用铜连接对晶片进行探测。当前用于防腐蚀及/或探测的工艺对于利用凸块下金属或电镀铜互连的互连方法而言成本非常高。需要改进。
技术实现思路
所描述的实施例提供一种使用牺牲导电堆叠来防止IC芯片上的铜连接腐蚀的方法。所述方法还可用于允许探测芯片，包含在保护铜连接的完整性的同时对写入存储器的数据施加热应力。在将窗口打开到铜连接之后，阻挡导电堆叠形成于覆盖窗口的芯片表面上。牺牲导电堆叠形成于阻挡导电堆叠上方及保持尽可能薄。通过化学机械抛光去除阻挡导电堆叠及牺牲导电堆叠中位于保护外涂层的表面上的那些部分。在此状态下，可对包含带有铜连接的IC芯...
【技术保护点】
1.一种制造集成电路IC芯片的方法，所述方法包括：/n通过钝化外涂层打开所述IC芯片的第一表面上的窗口以暴露铜金属化物层，所述窗口具有侧壁及与所述铜金属化物层相邻的底部；/n将阻挡导电堆叠沉积在所述钝化外涂层及所述铜金属化物层的暴露部分上；/n将牺牲导电堆叠沉积在所述阻挡导电堆叠上，所述牺牲导电堆叠具有在
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171229 US 15/858,1451.一种制造集成电路IC芯片的方法，所述方法包括：
通过钝化外涂层打开所述IC芯片的第一表面上的窗口以暴露铜金属化物层，所述窗口具有侧壁及与所述铜金属化物层相邻的底部；
将阻挡导电堆叠沉积在所述钝化外涂层及所述铜金属化物层的暴露部分上；
将牺牲导电堆叠沉积在所述阻挡导电堆叠上，所述牺牲导电堆叠具有在与之间的厚度；及
对所述半导体芯片的所述第一表面进行抛光以从所述钝化外涂层的表面去除所述牺牲导电堆叠及所述阻挡导电堆叠。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠包括第一氮化钽层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠进一步包括镍层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠进一步包括第二氮化钽层。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠进一步包括钨层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲导电堆叠包括钯、铂、金、钌中的任一者，或其任何组合。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括执行蚀刻工艺以从所述窗口的至少所述底部去除所述牺牲导电堆叠。
8.根据权利要求7所述的方法，其中执行所述蚀刻工艺包括执行湿式刻蚀工艺以从所述窗口去除所述牺牲导电堆叠。
9.根据权利要求7所述的方法，其中执行所述蚀刻工艺包括执行溅射蚀刻工艺以从所述窗口的所述底部去除所述牺牲导电堆叠。
10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括形成基本上填充所述窗口的另一金属化物层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述另一金属化物层是凸块下金属层。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述另一金...
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