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在制造集成电路IC芯片的方法中，所述方法开始于通过钝化外涂层(106)打开IC芯片的第一表面上的窗口(108)以暴露铜金属化物层。所述窗口(108)具有侧壁及与所述铜金属化物层相邻的底部。所述方法继续将阻挡导电堆叠(112)沉积在所述钝化外...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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