半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置的制造方法，其具备：准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及分离工序，对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。
技术介绍
在半导体装置的领域中，近年来，关于层叠有多个半导体元件的被称为SIP(SysteminPackage，系统级封装)的封装的技术显著地发展。在SIP型的封装中，由于要层叠多个半导体元件，因此对半导体元件要求薄壁化。根据该要求，在半导体元件中，将集成电路组装入半导体构件(例如，半导体晶片)中后，实施例如对半导体构件的背面进行磨削的薄壁化、对半导体晶片进行切割的单片化等加工处理。关于这些半导体构件的加工处理，通常利用临时固定材层将半导体构件临时固定于支撑构件上来进行(例如，参照专利文献1～3)。实施了加工处理的半导体构件隔着临时固定材层而与支撑构件牢固地固定。因此，在半导体装置的制造方法中，要求能够防止半导体构件的损伤等，并且能够将加工处理后的半导体构件从支撑构件分离。在专利文献1中，作为这样的将半导体构件分离的方法，公开了一种对临时固定材层一边加热一边进行物理分离的方法。另外，在专利文献2、3中公开了一种通过对临时固定材层照射激光(相干光)而将半导体构件分离的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-126803号公报专利文献2：日本特开2016-138182号公报专利文献3：日本特开2013-033814号公报专利技术内容专利技术要解决的课题但是，在专利文献1所公开的方法中，存在半导体晶片产生由热历程引起的损伤等，使得成品率降低的问题。另一方面，在专利文献2、3所公开的方法中，存在如下问题：由于激光为相干光，因此照射面积窄，需要对半导体构件整体反复照射多次，因此花费时间；由于控制激光的焦点来进行扫描照射，因此工序变得复杂；以及需要高价的装置。本专利技术是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种能够容易地将临时固定的半导体构件从支撑构件分离的半导体装置的制造方法。另外，本专利技术的目的在于提供作为临时固定材有用的临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。用于解决课题的方法本专利技术的一方面提供一种半导体装置的制造方法，其具备：准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及分离工序，对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。分离工序中的非相干光的光源可以为氙气灯。分离工序中的非相干光可以为至少包含红外光的光。分离工序可以为隔着支撑构件对临时固定材层照射非相干光的工序。作为一个方式，临时固定材层也可以含有固化性树脂组合物的固化物，所述固化性树脂组合物包含吸收光而产生热的导电性粒子。导电性粒子的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30～90质量份。固化性树脂组合物可以进一步包含热塑性树脂。固化性树脂组合物也可以进一步包含聚合性单体和聚合引发剂。作为另一个方式，临时固定材层可以具有吸收光而产生热的光吸收层、和包含固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层。光吸收层可以是通过溅射或真空蒸镀而形成的。在另一方面，本专利技术提供一种临时固定材用固化性树脂组合物，其为用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材用固化性树脂组合物，包含吸收光而产生热的导电性粒子。导电性粒子的含量相对于临时固定材用固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30～90质量份。临时固定材用固化性树脂组合物可以进一步包含热塑性树脂。另外，临时固定材用固化性树脂组合物也可以进一步包含聚合性单体和聚合引发剂。本专利技术可以进一步涉及固化性树脂组合物作为临时固定材的应用或用于制造临时固定材的应用，所述固化性树脂组合物含有吸收光而产生热的导电性粒子。在另一方面，本专利技术提供一种临时固定材用膜，其为用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材用膜，包含上述临时固定材用固化性树脂组合物。另外，在另一方面，本专利技术提供一种临时固定材用层叠膜，其为用于将半导体构件临时固定于支撑构件的临时固定材用层叠膜，具有吸收光而产生热的光吸收层、和包含固化性树脂成分的树脂层。专利技术效果根据本专利技术，可提供一种能够容易地将临时固定的半导体构件从支撑构件分离的半导体装置的制造方法。另外，根据本专利技术，可提供一种作为临时固定材有用的临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。一些形态中的临时固定材用固化性树脂组合物能够形成耐热性优异的临时固定材层。附图说明图1是用于说明本专利技术的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图，图1的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。图2是表示临时固定材前体层的一个实施方式的示意截面图。图3的(a)、(b)、(c)和(d)是表示使用图2所示的临时固定材前体层而形成的层叠体的一个实施方式的示意截面图。图4是用于说明使用图3的(d)所示的层叠体的本专利技术的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图，图4的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。图5的(a)、(b)、(c)是表示临时固定材前体层的另一个实施方式的示意截面图。图6的(a)、(b)、(c)和(d)是表示使用图5(a)所示的临时固定材前体层而形成的层叠体的一个实施方式的示意截面图。图7是用于说明使用图6的(d)所示的层叠体的本专利技术的半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意截面图，图7的(a)和(b)是表示各工序的示意截面图。图8是用于说明图1的(a)所示的层叠体的制造方法的其他实施方式的示意截面图，图8的(a)、(b)和(c)是表示各工序的示意截面图。具体实施方式以下，一边适宜参照附图一边对本专利技术的实施方式进行说明。但是，本专利技术并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，其构成要素(也包含步骤等)除了特别明示的情况以外都不是必须的。各图中的构成要素的大小是概念性的，构成要素间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。关于本说明书中的数值及其范围也同样，并不限制本专利技术。在本说明书中，使用“～”来表示的数值范围表示包含“～”的前后所记载的数值分别作为最小值和最大值的范围。在本说明书中阶段性记载的数值范围中，一个数值范围所记载的上限值或下限值可替换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本说明书中所记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值可替换成实施例中所示的值。在本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或与其对应的甲基丙烯酸。关于(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰基等其他的类似表述也同样。[半导体装置的制造方法]本实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备：准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其具备：/n准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及/n分离工序，对所述层叠体中的所述临时固定材层照射非相干光而将所述半导体构件从所述支撑构件分离。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171201 JP PCT/JP2017/0433631.一种半导体装置的制造方法，其具备：
准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及
分离工序，对所述层叠体中的所述临时固定材层照射非相干光而将所述半导体构件从所述支撑构件分离。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述分离工序中的所述非相干光的光源为氙气灯。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，所述分离工序中的所述非相干光为至少包含红外光的光。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述分离工序为隔着所述支撑构件对所述临时固定材层照射所述非相干光的工序。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述临时固定材层含有固化性树脂组合物的固化物，所述固化性树脂组合物包含吸收光而产生热的导电性粒子。


6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，所述导电性粒子的含量相对于所述固化性树脂组合物的除所述导电性粒子以外的成分的总量100质量份为30～90质量份。


7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，所述固化性树脂组合物进一步包含热塑性树脂。


8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫泽笑，早坂刚，川守崇司，须方振一郎，稻叶贵一，西户圭祐，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP