翻转电压跟随器低压差稳压器制造技术

公开了一种用于大电容器开关载荷的宽调谐范围低输出阻抗翻转电压跟随器(FVF)低压差稳压器(LDO)。在一些实现方式中，LDO包括运算放大器和FVF。FVF可以具有增益设备、源极跟随器设备和被耦合在源极跟随器设备的漏极和增益设备的栅极之间的自适应电平移位器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】翻转电压跟随器低压差稳压器相关申请的交叉引用本专利申请要求于2017年12月1日提交的转让给受让人的标题为“翻转电压跟随器低压差稳压器”的申请号为No.15/828,608的优先权，在此通过引用的方式明确地并入本申请。
本公开总体上涉及在电子电路中的信号驱动器，并且更具体地涉及用于大电容性开关载荷的宽调谐范围输出阻抗翻转电压跟随器(FVF)低压差稳压器(LDO)。
技术介绍
目前，低压差稳压器(LDO)被用于许多电子设备，尤其是在便携式电子设备。例如，LDO通常被用于在显示面板的触摸感测系统的触摸感测控制器中驱动信号。在这样的应用中，LDO通常应当利用以高频(例如400kHz)在具有串联电阻(例如1kOhm)的大电容性开关载荷(例如100pF)工作。电容性载荷通常被重复多次(例如，32次)，以便可以驱动在显示面板两端的多行信号。RC载荷取决于面板，并且根据所使用的触摸屏传感器技术而从一个面板变化到另一个面板。因为电容性载荷的变化很大，而且载荷的取决于感测模式而重复多次，因此单闭环LDO解决方案由于稳定性问题而无法被实现。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压差稳压器(LDO)，包括：/n运算放大器，具有输出、正输入和负输入；以及/n翻转电压跟随器(FVF)，具有增益设备、源极跟随器设备、以及被耦合在所述源极跟随器设备的漏极和所述增益设备的栅极之间的自适应电平移位器。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171201 US 15/828,6081.一种低压差稳压器(LDO)，包括：
运算放大器，具有输出、正输入和负输入；以及
翻转电压跟随器(FVF)，具有增益设备、源极跟随器设备、以及被耦合在所述源极跟随器设备的漏极和所述增益设备的栅极之间的自适应电平移位器。


2.根据权利要求1所述的LDO，其中所述源极跟随器设备的栅极被耦合到所述运算放大器的所述输出，并且所述增益设备的漏极被耦合到所述运算放大器的所述负输入。


3.根据权利要求1所述的LDO，其中所述自适应电平移位器包括：
第一二极管，耦合在所述源极跟随器设备的所述漏极和所述增益设备的所述栅极之间；
补偿电容器，耦合在所述源极跟随器的所述漏极和所述增益设备的所述栅极之间；以及
第二二极管，耦合在所述增益设备的所述栅极和电源轨之间。


4.根据权利要求3所述的LDO，其中所述源极跟随器设备是n型金属氧化物半导体(nMOS)M1，所述增益设备是nMOSM2，并且所述电源轨是Vss。


5.根据权利要求3所述的LDO，其中所述源极跟随器设备是p型金属氧化物半导体设备(pMOS)M3，所述增益设备是pMOSM4，并且所述电源轨是Vdd。


6.根据权利要求1所述的LDO，还包括多个副本FVF，所述多个副本FVF中的每个FVF具有：
副本增益设备；
副本源极跟随器设备，具有用以输出输出电压的源极、以及被耦合到所述运算放大器的所述输出的栅极；以及
副本自适应电平移位器，耦合在所述副本源极跟随器设备的漏极和所述副本增益设备的栅极之间。


7.根据权利要求6所述的LDO，其中所述副本自适应电平移位器包括：
第三二极管，耦合在所述副本源极跟随器设备的所述漏极和所述副本增益设备的所述栅极之间；
副本补偿电容器，耦合在所述副本源极跟随器的所述漏极和所述副本增益设备的所述栅极之间；以及
第四二极管，耦合在所述副本增益设备的所述栅极和电源轨之间。


8.根据权利要求7所述的LDO，其中所述副本源极跟随器设备是n型金属氧化物半导体设备(nMOS)，所述副本增益设备是nMOS，并且所述电源轨是Vss。


9.根据权利要求7所述的LDO，其中所述副本源极跟随器设备是p型金属氧化物半导体设备(pMOS)，所述副本增益设备是pMOS，并且所述电源轨是Vdd。


10.一种触摸感测控制器驱动器，包括：
多个开关，所述多个开关中的每个开关被配置为耦合到触摸面板的信号线；
信号驱动器，具有上部低压差稳压器(LDO)和下部LDO，所述上部LDO被耦合到所述多个开关以将电流提供给所述多个开关，所述下部LDO被耦合到所述多个开关以从所述多个开关吸收电流，其中所述下部LDO包括：
下部运算放大器，具有输出、正输入和负输入；以及
下部翻转电压跟随器(FVF)，具有下部增益设备、下部源极跟随器设备、以及被耦合在所述下部源极跟随器设备的漏极和所述下部增益设备的栅极之间的下部自适应电平移位器。


11.根据权利要求10所述的触摸感测控制器驱动器，其中所述下部源极跟随器设备的栅极被耦合到所述下部运算放大器的所述输出，并且所述下部增益设备的漏极被耦合到所述下部运算放大器的所述负输出。


12.根据权利要求10所述的触摸感测控制器驱动器，其中所述下部自适应电平移位器包括：
第一二极管连接的nMOS，耦合在所述下部源极跟随器设备的所述漏极和所述下部增益设备的所述栅极之间；
下部补偿电容器，耦合在所述下部源极跟随器的所述漏极和所述下部增益设备的所述栅极之间；以及
第二二极管连接的nMOS，耦合在所述下部增益设备的所述栅极和Vss之间。


13.根据权利要求10所述的触摸感测控制器驱动器，其中所述上部LDO包括：
上部运算放大器，具有输出、正输入和负输入；以及
上部翻转电压跟随器(FVF)，具有上部增益设备、上部源极跟随器设备、以及被耦合在所述源极跟随器设备的漏极和所述增益设备的栅极之间的上部自适应电平移位器。


14.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·M·R·I·埃尔赫贝里，S·瓦德瓦，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US