质量流量控制系统、包括该系统的半导体制造装置以及气化器制造方法及图纸

一种质量流量控制系统，构成为控制在流路中流动的流体的流量，该质量流量控制系统具有：第一装置，其为质量流量控制装置；外部传感器，其为构成第二装置的至少一个检测单元，所述第二装置是配设于第一装置的外部的装置；以及至少一个控制部，所述至少一个控制部设置于第一装置和第二装置这两方或其中任一方的壳体内，其中，控制部构成为能够至少基于从外部传感器输出的检测信号即外部信号来控制流量控制阀的开度。由此，不追加另外的控制装置等就能够实现迅速的吹扫处理、更准确的流量控制、简便的流量校正、基于罐内的压力或温度进行的流量控制或基于流体中的材料的浓度等进行的流量控制等效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】质量流量控制系统、包括该系统的半导体制造装置以及气化器
本专利技术涉及一种质量流量控制系统、包括该系统的半导体制造装置以及气化器。
技术介绍
在半导体的制造工艺中，在被保持为真空(或者，低压或减压)状态的腔室内执行例如薄膜形成、微细加工等工序。例如，根据想要制造的半导体器件的结构等向该腔室导入各种半导体材料气体(后文中有时简称为“材料气体”。)。在需要的情况下，也有时使用例如氩、氦、氮等非活性气体与材料气体的混合气体等。图1是例示现有技术所涉及的通常的半导体制造装置的构造的示意图。在图1所示的半导体制造装置中，能够根据需要在材料气体1、材料气体2以及材料气体3之间切换，并且向腔室内供给切换后的材料气体。另外，在各种情况下，能够通过各材料气体用质量流量控制装置(MFC-1至MFC-3)来进行各材料气体的流量的测定和控制。另外，在将常温下处于液相状态或固体状态的材料用作材料气体的情况下，能够使用被称作“气化器”的装置将该材料进行加热来产生气化气体，将产生的气化气体向(作为)半导体制造装置(的作为反应炉的腔室)供给。作为在气化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种质量流量控制系统，具有：/n流路，流体在所述流路的内部流动；/n第一装置，其为具备流量控制阀的质量流量控制装置，所述流量控制阀设置于所述流路中并且构成为基于控制信号的性状来控制开度；/n第二装置，其为配设于所述第一装置的外部的装置；以及/n至少一个控制部，所述至少一个控制部设置于所述第一装置和所述第二装置这两方或其中任一方的壳体内，/n其中，所述第二装置包括至少一个作为检测单元的外部传感器，/n所述质量流量控制系统构成为控制在所述流路中流动的流体的流量，/n其中，所述控制部构成为能够至少基于从所述外部传感器输出的检测信号即外部信号来确定所述控制信号的性状。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 JP 2017-1906571.一种质量流量控制系统，具有：
流路，流体在所述流路的内部流动；
第一装置，其为具备流量控制阀的质量流量控制装置，所述流量控制阀设置于所述流路中并且构成为基于控制信号的性状来控制开度；
第二装置，其为配设于所述第一装置的外部的装置；以及
至少一个控制部，所述至少一个控制部设置于所述第一装置和所述第二装置这两方或其中任一方的壳体内，
其中，所述第二装置包括至少一个作为检测单元的外部传感器，
所述质量流量控制系统构成为控制在所述流路中流动的流体的流量，
其中，所述控制部构成为能够至少基于从所述外部传感器输出的检测信号即外部信号来确定所述控制信号的性状。


2.根据权利要求1所述的质量流量控制系统，其特征在于，
还具有通信单元，所述通信单元构成为从所述外部传感器向所述控制部传递所述外部信号。


3.根据权利要求1或2所述的质量流量控制系统，其特征在于，
所述外部传感器为流量传感器。


4.根据权利要求3所述的质量流量控制系统，其特征在于，
所述第一装置还具备作为与所述外部传感器相分别的流量传感器的内部传感器，
所述控制部构成为能够基于从所述内部传感器输出的检测信号即内部信号与所述外部信号的差的大小来确定所述控制信号的性状。


5.根据权利要求3所述的质量流量控制系统，其特征在于，
所述第一装置具备作为与所述外部传感器相分别的流量传感器的内部传感器，
所述控制部构成为能够以第一传感器为基准来执行第二传感器的流量校正，所述第一传感器为所述内部传感器和所述外部传感器中的任一方的传感器，所述第二传感器为所述内部传感器和所述外部传感器中的并非所述第一传感器的传感器。


6.根据权利要求5所述的质量流量控制系统，其特征在于，
所述控制部构成为：在所述流体以规定的质量流量、规定的温度及规...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井守，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP