【技术实现步骤摘要】
一种具有宽输入电压范围的低压差线性稳压器
本专利技术属于电源管理
，涉及一种低压线性稳压器，能够用于芯片内部电路供电。
技术介绍
低压差线性稳压器(LowDropoutRegulator,LDO)是电源管理芯片中重要的一类电路。具有低成本、低噪声、低功耗、电路结构简单和占用芯片面积小等优点，广泛应用在消费电子、医疗电子以及航空航天等领域。芯片外部输入的电压存在很多噪声，所以芯片内部需要一个稳定、低噪声的电源来给内部电路供电，LDO就是很好的选择来为内部电路供电。LDO通过放大经输出反馈得来的误差信号来控制功率管，以提供输出电流驱动负载。如图1所示，传统的片外大电容LDO包括误差放大器(EA)、功率管、电阻反馈网络、负载电容。为芯片内部电路供电的传统LDO需要先将输入电压VIN预降压后为LDO供电。在系统稳定性方面，传统LDO采用输出电容的等效串联电阻(EquivalentSeriesResistance，ESR)进行频率补偿。输出电容与输出阻抗决定的主极点(Po)和由功率管寄生电容与误差放大器的输出阻抗...
【技术保护点】
1.一种具有宽输入电压范围的低压差线性稳压器，包括误差放大器、功率管、分压网络、偏置模块、缓冲器级、前馈通路和动态采样模块，/n所述功率管为PMOS功率管，其源极连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其漏极产生所述低压差线性稳压器的输出信号；/n所述分压网络用于将所述低压差线性稳压器的输出信号进行分压后获得反馈信号；/n所述误差放大器的正向输入端连接所述反馈信号，其负向输入端连接基准电压；/n其特征在于，所述偏置模块用于为所述误差放大器、缓冲器级、前馈通路和动态采样模块提供偏置，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第一NMOS管，第一PMOS管...
【技术特征摘要】
1.一种具有宽输入电压范围的低压差线性稳压器，包括误差放大器、功率管、分压网络、偏置模块、缓冲器级、前馈通路和动态采样模块，
所述功率管为PMOS功率管，其源极连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其漏极产生所述低压差线性稳压器的输出信号；
所述分压网络用于将所述低压差线性稳压器的输出信号进行分压后获得反馈信号；
所述误差放大器的正向输入端连接所述反馈信号，其负向输入端连接基准电压；
其特征在于，所述偏置模块用于为所述误差放大器、缓冲器级、前馈通路和动态采样模块提供偏置，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第一NMOS管，第一PMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管和第三PMOS管的栅极以及第一外部偏置信号，其源极连接第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极并连接所述低压差线性稳压器的输入电压；第一NMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管的漏极，其源极连接所述误差放大器的负向输出端；第四PMOS管的栅极连接第二外部偏置信号；
所述缓冲器级包括第二NMOS管和第三NMOS管，第二NMOS管的源极连接所述误差放大器的正向输出端，其栅极连接第一NMOS管的栅极，其漏极连接第三NMOS管的栅极和第三PMOS管的漏极；第三NMOS管的漏极连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其源极连接功率管的栅极和第四PMOS管的漏极；
所述前馈通路包括第四NMOS管和第五NMOS管，第四NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极，其漏极连接功率管的栅极，其源极连接第五NMOS管的漏极；第四NMOS管的栅极连接所述误差放大器的负向输出端，其源极接地；
所述动态采样模块包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第五PMOS管，第六NMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极，其栅极连接第七NMOS管的栅极和漏极以及第八NMOS管的漏极，其源极连接第七NMOS管的源极并接地；第八NMOS管的栅极连接功率管的漏极，其源极连接第五PMOS管的漏极；第五PMOS管的栅极连接功率管的栅极，其源极连接所述低压差线性稳压器的输入电压；
所述低压差线性稳压器还包括第一齐纳二极管和第二齐纳二极管，第一齐纳二极管的阴极连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其阳极连接第三NMOS管的栅极；第二齐纳二极管的阴极连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其阳极连接功率管的栅极；
所述功率管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四...
【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，梁华，熊进，张杰，贾丽伟，黄家辉，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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