一种自支撑的磁电纳米复合结构及其制备方法技术

一种自支撑的磁电纳米复合结构及其制备方法，包括钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜；钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜自下而上依次设置，形成自支撑的磁电纳米复合结构；铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜中铁酸铋为网格状结构，铁酸钴填充在网格结构内。本发明专利技术有利于提高磁电耦合性能，在能量存储与转换，磁存储及磁传感等方面有潜在的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种自支撑的磁电纳米复合结构及其制备方法
本专利技术属于磁电纳米复合结构
，特别涉及一种自支撑的磁电纳米复合结构及其制备方法。
技术介绍
随着新型器件小型化技术的发展，人们越来越有兴趣将电和磁结合到多功能薄膜材料中，以获得潜在的应用。磁电材料可以实现在外部磁场/电场下表现出诱导极化/磁化，在新型多功能器件中有着广阔的应用前景。与单相磁电材料相比，由压电相和磁致伸缩相组成的磁电复合材料由于具有更强的磁电耦合和更高的使用温度受到人们的广泛关注。对于这种复合材料，磁电耦合效应是相应功能相的压电和磁致伸缩系数的乘积。在微观或纳米尺度上，目前已被广泛研究的磁电复合薄膜的相连通结构包括：(0-3)型颗粒复合材料，(2-2)型层压材料复合材料和(1-3)型。然而，(2-2)薄膜连接的有效磁电耦合性能受到薄膜和衬底的夹持效应的限制，而(0-3)结构中由于磁性颗粒分布在铁电相中的随机性容易产生介质泄漏电流路径，且其磁电耦合效应强烈依赖于磁偏压和磁场频率。(1-3)结构垂直排列生长的纳米复合材料薄膜，其中两相材料可以自组装并外延生长，为垂直界面耦合和微结构调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自支撑的磁电纳米复合结构，其特征在于，包括钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜；钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜自下而上依次设置，形成自支撑的磁电纳米复合结构；铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜中铁酸铋为网格状结构，铁酸钴填充在网格结构内。/n

【技术特征摘要】
1.一种自支撑的磁电纳米复合结构，其特征在于，包括钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜；钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜自下而上依次设置，形成自支撑的磁电纳米复合结构；铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜中铁酸铋为网格状结构，铁酸钴填充在网格结构内。


2.根据权利要求1所述的一种自支撑的磁电纳米复合结构，其特征在于，铝酸锶牺牲层为立方相，立方相的铝酸锶晶格常数为钛酸锶衬底为立方结，铝酸锶和钛酸锶的晶格常数为倍数关系。


3.根据权利要求1所述的一种自支撑的磁电纳米复合结构，其特征在于，铝酸锶牺牲层的厚度为20～50nm；铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜的厚度为300～500nm。


4.根据权利要求1所述的一种自支撑的磁电纳米复合结构，其特征在于，钛酸锶衬底包括晶面取向为001、110和111方向的三种钛酸锶单晶。


5.一种自支撑的磁电纳米复合结构的制备方法，其特征在于，基于权利要求1至4任意一项所述的自支撑的磁电纳米复合结构，包括以下步骤：
步骤1，以铝酸锶为靶材，采用脉冲激光沉积法在钛酸锶衬底的表面上进行第一层沉积，形成铝酸锶牺牲层；
步骤2，以复合铁酸铋/铁酸钴...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，王志广，胡忠强，周子尧，杜琴，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61