交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置制造方法及图纸

作为固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜，而提供交换耦合膜(10)，其特征在于，由反强磁性层(2)与具备强磁性层的固定磁性层(3)层叠而成，反强磁性层(2)具有由PtCr层(2A)、tMn层(2B)及IrMn层(2C)以该顺序层叠而成的构造，IrMn层(2C)与固定磁性层(3)接触。PtMn层(2B)的膜厚为

The exchange coupling film and the magnetoresistance effect element and magnetic detection device using the exchange coupling film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置
本专利技术涉及交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置。
技术介绍
具备反强磁性层和固定磁性层的交换耦合膜，被作为磁阻效应元件、磁检测装置使用。在专利文献1中，关于磁性记录用介质，记载了通过将作为强磁性膜的Co合金与作为反强磁性膜的各种合金组合能够构成交换耦合膜。作为反强磁性膜，例示了CoMn、NiMn、PtMn、PtCr等的合金。现有技术文献专利文献专利文献：日本特开2000－215431号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题关于磁检测装置，在将磁效应元件向基板安装时，需要对焊料进行回流处理(熔融处理)，另外，磁检测装置有时被用在如引擎的周边那样的高温环境下。因此，磁检测装置中使用的交换耦合膜，为了能够在较宽的动态范围中检测磁场，优选的是，固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大，且高温条件下的稳定性较高。专利文献1是涉及作为磁性记录介质而使用的交换耦合膜的文献，所以关于使用了交换耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交换耦合膜，其特征在于，/n由反强磁性层与强磁性层层叠而成，/n上述反强磁性层具有由PtCr层、PtMn层及IrMn层以该顺序且上述IrMn层距上述强磁性层更近的方式层叠的构造。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170814 JP 2017-156347;20171226 JP 2017-2490831.一种交换耦合膜，其特征在于，
由反强磁性层与强磁性层层叠而成，
上述反强磁性层具有由PtCr层、PtMn层及IrMn层以该顺序且上述IrMn层距上述强磁性层更近的方式层叠的构造。


2.如权利要求1所述的交换耦合膜，其中，
上述IrMn层以与上述强磁性层接触的方式被层叠。


3.如权利要求1或2所述的交换耦合膜，其中，
上述PtMn层的膜厚为以上。


4.如权利要求1至3中任一项所述的交换耦合膜，其中，
上述IrMn层的膜厚为以上。


5.如权利要求1至4中任一项所述的交换耦合膜，其中，
上述PtMn层的膜厚与上述IrMn层的膜厚的总和为以上。


6.如权利要求1至5中任一项所述的交换耦合膜，其中，
上述PtCr层的膜厚，比上述PtMn层的膜厚与上述IrMn层的膜厚的总和大。


7.如权利要求6所述的交换耦合膜，其中，
上述PtCr层的膜厚同上述PtMn层的膜厚与上述IrMn层的膜厚的总和之比为5：1～100：1。


8.如权利要求1至7中任一项所述的交换耦合膜，其中，
上述强磁性层的膜厚为以上以下。


9.如权利要求1所述的交换耦合膜，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤正路，远藤广明，小池文人，
申请(专利权)人：阿尔卑斯阿尔派株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP