【技术实现步骤摘要】
一种p型PERC晶硅太阳电池及制备方法
本申请涉及晶硅太阳电池
，特别涉及p型钝化发射极背面电池(PERC)。
技术介绍
晶硅(c-Si)太阳电池由于具有高转换效率和工业技术成熟的特点，在目前全球光伏市场中占据主导地位，而且传统的晶硅铝背场(Al-BSF)电池逐渐为PERC电池所替代。传统的Al-BSF电池由于背面金属半导体的直接接触造成严重的载流子复合，同时缺少介电膜层对长波段的反射，PERC电池通过在背面附上介电钝化层，较大程度减少了这种光电损失，从而将绝对转换效率提升1～2％。经过不断优化，单晶PERC电池的量产效率已经从2014年的20％提升到2019年的22％以上。但是，必须指出的是，当PERC电池转换效率提高之后，尤其是超过22.5％之后，曾经不起主要影响的前表面钝化开始变得越来越重要。德国科研机构曾对转换效率为22％的PERC电池进行效率损失分析，发现载流子复合损失主要发生在发射极的均匀扩散区和选择性扩散区。所以如果在电池前表面只采用选择性发射极，并不能充分发挥PERC电池效率能进一步提升的优势。...
【技术保护点】
1.一种p型PERC晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，在p型晶硅片正面生长具有绒面结构的氧化硅层和多晶硅层。/n
【技术特征摘要】
1.一种p型PERC晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，在p型晶硅片正面生长具有绒面结构的氧化硅层和多晶硅层。
2.如权利要求1所述的p型PERC晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，对所述硅片表面制绒，形成随机分布的金字塔绒面；
步骤2，高温磷扩散形成n+发射极，随后去除正面磷硅玻璃；
步骤3，热氧化形成所述氧化硅层；
步骤4，沉积本征多晶硅层，用高温扩散对所述本征多晶硅层进行磷掺杂，得到具有载流子选择性接触的全面积TOPCon结构。
3.如权利要求2所述的p型PERC晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，把所述硅片放在体积比为3％的氢氧化钾溶液中，浸泡时间是420s，利用氢氧化钾溶液对不同晶面腐蚀速率的差异进行表面随机金字塔制绒，形成随机分布的尺寸为1～2μm的金字塔绒面，然后用盐酸和氢氟酸溶液分别去除金属离子和氧化层，并进行标准RCA清洗。
4.如权利要求2所述的p型PERC晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，将所述硅片以两两背靠背的放置方式，放进高温管式炉炉中进行磷扩散，这样可以使相互接触的所述硅片内部不能有效地像外部一样被扩散；形成表面薄层电阻为130Ω/□的n+发射极；随后用氢氟酸溶液去除正面磷硅玻璃。
5.如权利要求2所述的p型PERC晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，把所述硅片放在管式LPCVD设备中，在580℃条件下热氧化10min，形成所述氧化硅层；用透射电子显微镜观测到所述氧化硅层的厚度为1.5nm。
6.如权利要求2所述的p型PERC晶硅太阳电池制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈文忠，丁东，李正平，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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