【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本专利技术构思涉及图像传感器，更具体地，涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
技术介绍
图像传感器将光子图像转换成电信号。计算机和通信产业的近来进展已经导致对例如各种消费电子设备(诸如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏主机、安全摄像头和医用微型摄像头)中的高性能图像传感器的增加的需求。图像传感器可以分类为电荷耦合器件(CCD)型和CMOS图像传感器型。CMOS图像传感器通常易于操作并且尺寸小，因为相应的信号处理电路可以集成到单个芯片中。此外，CMOS图像传感器需要相对小的功耗，这在电池供电的应用中是有用的。另外，由于CMOS图像传感器的加工技术与CMOS加工技术是兼容的，所以CMOS图像传感器的制造成本比较低。因此，由于技术的进步和对高分辨率应用的需求的增加，已经越来越多地使用CMOS图像传感器。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供一种具有增强的暗电流特性的图像传感器。本专利技术构思的实施方式提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：/n半导体基板，具有第一表面和第二表面，所述半导体基板包括具有光电转换区的像素区；/n在第一沟槽中的第一导电图案，所述第一沟槽限定所述像素区并从所述第一表面朝向所述第二表面延伸；/n在第二沟槽中的第二导电图案，所述第二沟槽比所述第一沟槽浅并被限定在所述像素区的所述第一表面上的多个有源图案之间；/n传输晶体管和多个逻辑晶体管，在所述多个有源图案上；以及/n导电线，在所述第二表面上并电连接到所述第一导电图案。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190108 KR 10-2019-00020801.一种图像传感器，包括：
半导体基板，具有第一表面和第二表面，所述半导体基板包括具有光电转换区的像素区；
在第一沟槽中的第一导电图案，所述第一沟槽限定所述像素区并从所述第一表面朝向所述第二表面延伸；
在第二沟槽中的第二导电图案，所述第二沟槽比所述第一沟槽浅并被限定在所述像素区的所述第一表面上的多个有源图案之间；
传输晶体管和多个逻辑晶体管，在所述多个有源图案上；以及
导电线，在所述第二表面上并电连接到所述第一导电图案。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一导电图案具有围绕所述像素区的网格结构。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述第一导电图案上的电介质图案，
其中所述电介质图案填充所述第一沟槽的上部，并且
其中所述电介质图案的顶表面与所述第一表面共平面。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中
所述第二沟槽穿透所述电介质图案并暴露所述第一导电图案的顶表面，并且
所述第二导电图案与所述第一导电图案的所述顶表面接触。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括限定所述多个有源图案的器件隔离结构，
其中所述第二沟槽在所述器件隔离结构中，并且
其中所述器件隔离结构使所述第二导电图案与所述半导体基板绝缘。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一导电图案的底表面与所述第二表面共平面。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述第二沟槽中的第一电介质图案，
其中所述第一电介质图案插设在所述半导体基板和所述第二导电图案之间，并且
其中所述第一电介质图案使所述第二导电图案与所述半导体基板绝缘。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，还包括在所述第二导电图案上的第二电介质图案，
其中所述第二电介质图案填充所述第二沟槽的上部，并且
其中所述第二电介质图案的顶表面与所述第一表面共平面。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
连接线层，在所述第一表面上；和
接触，将所述第二导电图案电连接到所述连接线层的连接线。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
滤色器，在所述像素区的所述第二表面上；和
微透镜，在所述滤色器上。
11.一种图像传感器，包括：
半导体基板，具有第一表面和第二表面，所述半导体基板包括具有光电转换区的像素区；
第一器件隔离结构，具有围绕所述像素区的网格结构，所述第一器件隔离结构包括第一导电图案；
在所述像素区中的第二器件隔离结构，所述第二器件隔离结构包括第二导电图案；以及
导电线，在所述第二表面上并电连接到所述第一导电图案，
其中所述第一器件隔离结构的顶表面和所述第二器件隔离结构的顶表面与所述第一表面共平面，并且
技术研发人员：卢仁镐，权杜原，权锡镇，金慈明，金振泳，闵诚基，曹官植，赵万根，池晧哲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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