【技术实现步骤摘要】
指纹识别集成电路及包括指纹识别集成电路的指纹识别设备相关申请的交叉引用本申请要求于2019年1月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0001564的优先权,并在此通过引用完整地并入其公开内容。
本专利技术构思的示例性实施例涉及指纹识别集成电路(FPIC)和包括指纹识别集成电路的指纹识别设备。
技术介绍
随着指纹识别设备在移动设备中的使用越来越频繁,技术发展日新月异。通常最初将指纹识别设备(即指纹传感器)应用于移动设备中的物理主页按钮。然而,随着近来最小化外框的趋势,可能导致需要移除物理主页按钮,正在研究将指纹传感器应用于显示器的方法。将指纹传感器应用于显示器的方法主要包括电容的、光学的和超声的方法。电容方法具有差的感测距离特性,因此当在显示器上使用电容方法时,会出现问题。超声方法具有传感器成本高和计算功率大的缺点。光学方法易受干燥或低温环境影响,但在感测距离和成本方面优于其他方法。
技术实现思路
示例性实施例提供了一种具有降低的内部复杂度和高分辨率的指纹识别 ...
【技术保护点】
1.一种指纹识别设备,包括:/n显示器,输出图像;/n触摸传感器面板TSP,感测所述显示器上的触摸;以及/n指纹识别集成电路FPIC,扫描所述显示器上触摸的指纹,/n其中,所述FPIC包括:/n包括光电元件的像素,所述光电元件接收由所述指纹反射的光;/n低噪声放大器LNA,通过转换从所述光电元件接收的电荷来输出信号电压;以及/n模数转换器ADC,将所述信号电压转换为数字信号,/n其中,所述ADC包括:/n提供可变参考电压的可变参考电压发生器;/n比较器,将所述可变参考电压与所述信号电压相加,对相加的结果执行相关双采样,并通过将相关双采样的结果与斜坡电压进行比较来输出比较信号 ...
【技术特征摘要】
20190107 KR 10-2019-00015641.一种指纹识别设备,包括:
显示器,输出图像;
触摸传感器面板TSP,感测所述显示器上的触摸;以及
指纹识别集成电路FPIC,扫描所述显示器上触摸的指纹,
其中,所述FPIC包括:
包括光电元件的像素,所述光电元件接收由所述指纹反射的光;
低噪声放大器LNA,通过转换从所述光电元件接收的电荷来输出信号电压;以及
模数转换器ADC,将所述信号电压转换为数字信号,
其中,所述ADC包括:
提供可变参考电压的可变参考电压发生器;
比较器,将所述可变参考电压与所述信号电压相加,对相加的结果执行相关双采样,并通过将相关双采样的结果与斜坡电压进行比较来输出比较信号;以及
计数器,通过对所述比较信号进行计数来输出所述数字信号。
2.根据权利要求1所述的指纹识别设备,其中,所述FPIC包括像素阵列,在所述像素阵列中,包括所述像素的多个像素以行和列布置,
其中,所述FPIC通过执行虚设捕获操作来初始化像素的输出,并且随后通过执行主捕获操作来扫描所述指纹。
3.根据权利要求2所述的指纹识别设备,其中,在所述虚设捕获操作之后且在所述主捕获操作之前存在第一暂停。
4.根据权利要求3所述的指纹识别设备,其中,所述FPIC在所述虚设捕获操作与所述主捕获操作之间执行子捕获操作。
5.根据权利要求3所述的指纹识别设备,其中,第二暂停位于所述虚设捕获操作之后且在所述子捕获操作之前,所述第一暂停位于所述子捕获操作之后且在所述主捕获操作之前,并且所述第二暂停比所述第一暂停短。
6.根据权利要求1所述的指纹识别设备,其中,所述FPIC包括像素阵列,在所述像素阵列中,包括所述像素的多个像素以行和列布置,
其中,所述像素阵列包括多条输出线,每条输出线由同一列中的像素共享,所述LNA是多个LNA中的一个,并且每个LNA连接至任一条输出线。
7.根据权利要求6所述的指纹识别设备,其中,所述输出线的数量大于所述LNA的数量,并且所述FPIC还包括将所述输出线连接到所述LNA的多路复用器。
8.根据权利要求6所述的指纹识别设备,其中,所述FPIC还包括低通滤波器LPF,所述低通滤波器去除所述信号电压的高频噪声,并且已经去除所述高频噪声的信号电压被传送至所述ADC。
9.根据权利要求8所述的指纹识别设备,其中,所述LPF是多个LPF中的一个,所述ADC是多个ADC中的一个,所述ADC中的每一个连接到所述LPF中的任一个,所述LPF的数量大于所述ADC的数量,并且所述FPIC还包括多路复用器,所述多路复用器将所述LPF连接到所述ADC。
10.根据权利要求6所述的指纹识别设备,其中,所述ADC是多个ADC中的一个,并且所述FPIC还包括:
连接到所述输出线中的每一条的多个模拟前端AFE,其中,所述AFE中的每一个包括所述LNA中的一个和所述ADC中的一个,并输出所述数字信号;以及...
【专利技术属性】
技术研发人员:权容一,金旻奎,金善券,朴成一,李种星,李熙范,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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