一种LDO稳压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种LDO稳压电路，包括：基准电压端Vref、第一偏置电压端Vb1、第二偏置电压端Vb2、第三偏置电压端Vb3、输入电压端VDD、输出电压端Vout、控制电路、反馈电路、接地端GND和功率管MP；其中，反馈电路接收输出电压端Vout的反馈，并将信号反馈给控制电路，控制电路根据反馈信号调整功率管MP，以稳定输出电压端Vout的电压。通过LDO稳压电路的电路结构，形成了三重稳压的电路形态，提高了整个LDO稳压电路的稳定性和可靠性。本发明专利技术主要用于集成电路电源管理技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种LDO稳压电路
本专利技术涉及集成电路电源管理
，特别涉及一种LDO稳压电路。
技术介绍
低压差线性LDO被广泛应用在现代各种穿戴式电子设备，用来提供稳定的电源电压。随着产品对能耗和功能集成度的要求越来越高，如何有效的提高电源管理已成为了一大难题。LDO电路因可以提供超低的静态电流来减小功耗，其在作为重要的电源管理模块广泛应用于SoC芯片设计中。典型LDO电路，包含参考电压、误差放大器EA、功率管MP和反馈电阻。LDO作为重要的电源管理模块之一，广泛应用于SoC芯片中。现有的LDO电路对输出的电压变化反应慢，无法输出稳定的电压。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种LDO稳压电路，旨在解决现有的低压降稳压器输出不稳定的问题。本专利技术解决其技术问题的解决方案是：一种LDO稳压电路，包括：基准电压端Vref、第一偏置电压端Vb1、第二偏置电压端Vb2、第三偏置电压端Vb3、输入电压端VDD、输出电压端Vout、控制电路、反馈电路、接地端GND和功率管MP；所述控制电路包括：晶体管M1、晶体管M2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDO稳压电路，其特征在于，包括：基准电压端Vref、第一偏置电压端Vb1、第二偏置电压端Vb2、第三偏置电压端Vb3、输入电压端VDD、输出电压端Vout、控制电路、反馈电路、接地端GND和功率管MP；/n所述控制电路包括：晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11、晶体管M12和误差放大器EA，所述反馈电路包括：晶体管M13和晶体管M14；/n所述误差放大器EA的负端与所述基准电压端Vref连接，所述误差放大器EA的正端分别与晶体管M8的栅极、晶体管M13的源极、晶体管M14的漏极连接，所述...

【技术特征摘要】
1.一种LDO稳压电路，其特征在于，包括：基准电压端Vref、第一偏置电压端Vb1、第二偏置电压端Vb2、第三偏置电压端Vb3、输入电压端VDD、输出电压端Vout、控制电路、反馈电路、接地端GND和功率管MP；
所述控制电路包括：晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11、晶体管M12和误差放大器EA，所述反馈电路包括：晶体管M13和晶体管M14；
所述误差放大器EA的负端与所述基准电压端Vref连接，所述误差放大器EA的正端分别与晶体管M8的栅极、晶体管M13的源极、晶体管M14的漏极连接，所述误差放大器EA的输出端分别与晶体管M1的栅极、晶体管M4的栅极、晶体管M4的漏极、晶体管M3的漏极、晶体管M9的栅极、晶体管M9的漏极、晶体管M10的漏极、功率管MP的栅极连接，所述晶体管M1的漏极分别与晶体管M2的栅极、晶体管M2的漏极、晶体管M5的栅极、晶体管M7的栅极连接，所述晶体管M5的漏极与晶体管M4的源极连接，所述晶体管M7的漏极与晶体管M6的漏极连接，所述晶体管M7的源极分别与晶体管M10的栅极、晶体管M8的漏极连接，所述晶体管M10的源极分别与晶体管M11漏极、晶体管M12的漏极连接，所述晶体管M11的源极分别与功率管MP的漏极、晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁纬，段志奎，于昕梅，蒋业文，阮锦标，陈嘉维，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：广东;44