【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积设备及薄膜沉积设备的控制方法
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种薄膜沉积设备及薄膜沉积设备的控制方法。
技术介绍
物理气相沉积工艺被广泛应用于半导体技术中，一般用于制造金属、半导体等材料的薄膜，其主要原理为：在真空腔室内，利用高能粒子轰击靶材，使轰击出的靶材粒子沉积在待形成膜层的基材上。目前，在沉积薄膜过程中，由于靶材不断消耗，使得靶材寿命不断变化，导致在预设时间内沉积的薄膜的整体厚度达不到预设厚度标准，且影响产品质量。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种薄膜沉积设备及薄膜沉积设备的控制方法，可在预设时间内保证薄膜的厚度，提高产品质量。根据本公开的一个方面，提供一种薄膜沉积设备的控制方法，所述薄膜沉积设备包括控制机台及正对设置的衬底承载装置和靶材承载装置，所述控制方法包括：根据靶材消耗值与补偿参数的对应关系确定所述补偿参...
【技术保护点】
1.一种薄膜沉积设备的控制方法，所述薄膜沉积设备包括控制机台及正对设置的衬底承载装置和靶材承载装置，其特征在于，所述控制方法包括：/n根据靶材消耗值与补偿参数的对应关系确定所述补偿参数；/n在薄膜沉积过程中，控制所述控制机台根据所述补偿参数对所述控制机台的预设工作参数进行实时补偿，以得到目标工作参数；所述预设工作参数至少包括靶材功率、靶材电压、靶材沉积时间以及所述衬底承载装置和所述靶材承载装置间距中至少一个。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积设备的控制方法，所述薄膜沉积设备包括控制机台及正对设置的衬底承载装置和靶材承载装置，其特征在于，所述控制方法包括：
根据靶材消耗值与补偿参数的对应关系确定所述补偿参数；
在薄膜沉积过程中，控制所述控制机台根据所述补偿参数对所述控制机台的预设工作参数进行实时补偿，以得到目标工作参数；所述预设工作参数至少包括靶材功率、靶材电压、靶材沉积时间以及所述衬底承载装置和所述靶材承载装置间距中至少一个。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述对应关系为：
ΔY＝ax+bx2+cx3
其中，x为靶材消耗值，ΔY为补偿参数，a为一阶修正参数，b为二阶修正参数，c为三阶修正参数；
所述目标工作参数为：
Y＝Y0(1+ΔY)
其中，Y为目标工作参数，Y0为预设工作参数，ΔY为补偿参数。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述预设工作参数为所述衬底承载装置和所述靶材承载装置的间距；在薄膜沉积过程中，所述控制机台根据所述补偿参数对所述控制机台的预设工作参数进行实时补偿，以得到目标工作参数，包括：
根据所述补偿参数减小所述衬底承载装置和所述靶材承载装置的间距。
4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括驱动装置，用于驱动所述衬底承载装置朝向或背离所述靶材承载装置移动；根据所述补偿参数减小所述衬底承载装置和所述靶材承载装置的间距包括：
根据所述补偿参数确定所述衬底承载装置和所述靶材承载装置间距的补偿值；
控制所述驱动装置驱动所述衬底承载装置朝向所述靶材承载装置移动，直至达到目标间距。
5.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述靶材为钨、铜、钛、钽、铝、钴和氮化钛中至少一种。
6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述靶材的材料为铝，所述一阶修正参数a的取值范围为：9.0×10-5～2.0×10-4，所述二阶修正参数b的取值范围为-1.5×10-7～2.0×10-6，所述三阶修正参数c的取值范围为-5.5×10-10～5.0×10-11。
7.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述靶材的材料为氮化钛，所述一阶修正参数a的取值范围为：2.0×10-5～1.1×10-4，所述二阶修正参数b的取值范围为-3.0×10-7～-1.0×10-10，所述三阶修正参数c的取值范围为3×10-11～5×10-11。
8.一种薄膜沉积设备，所述薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，任兴润，何丹丹，王婷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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