一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种复相巨介电陶瓷材料，所述复相巨介电陶瓷材料的总组分表达式为A

【技术实现步骤摘要】
一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
高能存储器件﹑超级电容器和设备小型化的研究表明，作为其中必不可少的介电材料，需同时具备巨介电、低损耗、优良的温度和频率稳定性及优良的抗高压击穿能力。器件能量存储能力与所用介电材料的工作电压的平方成正比，由此可见，研究介电陶瓷材料抗击穿性能的必要性。众多研究表明，铁电材料，如BaTiO3，满足高介电常数要求，但是其介电常数随温度变化非常大；其他非铁电材料，如CaCuTi3O12(CCTO)﹑掺杂NiO和La2xSrxNiO4(x＝1/3、1/8)等，介电常数在较宽温度范围内可达105以上，但是介电损耗很高(>0.1)。基于此，需要制备一种同时具有高介电常数﹑低损耗﹑温度和频率稳定性好及优良抗高压击穿性能的介电陶瓷材料。
技术实现思路
基于此，本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种复相巨介电陶瓷材料。为实现上述目的，本专利技术所采取的技术方案为：一种复相巨介电陶瓷材料，所述复相巨介电陶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述复相巨介电陶瓷材料的总组分表达式为A

【技术特征摘要】
1.一种复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述复相巨介电陶瓷材料的总组分表达式为AxBnxTi1-(n+1)xO2；其中，A选自Nb、Ta、V、Mo、Sb中的至少一种，B选自In、Ga、Al、Co、Cr、Sc、Fe(III)、三价稀土阳离子中的至少一种；n为B与A的摩尔比，1<n≤5，0<x≤0.1。


2.如权利要求1所述的复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述复相巨介电陶瓷材料的主相为A5+与B3+共掺杂的金红石二氧化钛，副相为B2TiO5,且副相均匀分散于主相中。


3.如权利要求2所述的复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述副相为正交结构的B2TiO5。


4.如权利要求1～3任一项所述的复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述复相巨介电陶瓷材料的电阻率大于1011Ωcm。


5.如权利要求1～3任一项所述的复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述复相巨介电陶瓷材料在20Hz到2×106Hz频率范围内的介电常数大于10000；同时，所述复相巨介电陶瓷材料在频率低于2×105Hz时，介电损耗小于0.05。


6.如权利要求1～3任一项所述的复相巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述复相巨介电陶瓷材料在-160℃到170℃温度范围内的介电常数大于10000；同时，所述复相巨介电陶瓷材料在-50℃到150℃温度范围内，介电损耗小于0.05。


7.一种如权利要求1～6任一项所述的复相巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)依照复相巨介电陶瓷材料的总组分表达式AxBnxTi1-(n+1)xO2，称取相应的钛源、A源和B源；
(2)将上述反应物置于球磨罐中，球磨、...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹秀华，刘建梅，陈德宏，任海东，刘芸，特里·詹姆士·弗朗科姆，付振晓，沓世我，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44