一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法，所述介质陶瓷的化学组成符合通式为：Li2(Zn1‑xAx)Ti3+yO8+2y，其中，A为Mg或Co，x的取值范围为0.02≤x≤0.08，y的取值范围为0.13≤y≤0.21。本发明专利技术以Li系硅酸盐作为介质陶瓷的主要原料，以Li2ZnTi3O8为基础的晶体结构进行制备，具有理想的介电常数εr和品质因数Q×f，同时其烧结温度较常规温度降低了120‑160℃，保证了陶瓷材料的烧结温度能低于Cu、Ag等的熔点，便于进一步加工，最终得到具有极低介电损耗的介质陶瓷，满足实际使用的需求。

A low dielectric loss dielectric ceramic and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法
本专利技术属于介质陶瓷材料
，尤其涉及一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法。
技术介绍
随着现代电子信息技术、互联网以及物联网技术的高速发展，新的电子器件、整机和系统不断创新升级，推动着电子信息产业日新月异的发展。而作为电子信息系统中流砥柱的微电子和通信技术的迅猛发展，要求不断提升数据和能量的传输效能，这不仅要求各种电子元器件持续向微型化、集成化及多功能化方向发展，而且也对电子封装技术提出了更高的要求。微波介质陶瓷(MWDC)是指应用于微波频段电路(主要是UHF、SHF频段、300MHz-300GHz)中作为介质材料完成一种或多种功能的新型陶瓷功能材料。微波介质陶瓷具有介电常数适中、高频下介电损耗低、温度稳定性较好等优点，可以在微波电路系统中发挥介质隔离、介质波导及介质谐振等功能，是制作介质基板、滤波器、谐振器等微波元件的关键材料。随着微波通信技术向毫米波段延伸，新型毫米波器件和系统快速发展，并在雷达、通信、遥感和高速数据传输等领域获得广泛应用。在极高频的毫米波段下，介质材料需具有较低的介本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电损耗介质陶瓷，其特征在于，所述介质陶瓷的化学组成符合通式为：Li2(Zn1-xAx)Ti3+yO8+2y，其中，A为Mg或Co，x的取值范围为0.02≤x≤0.08，y的取值范围为0.13≤y≤0.21。/n

【技术特征摘要】
1.一种低介电损耗介质陶瓷，其特征在于，所述介质陶瓷的化学组成符合通式为：Li2(Zn1-xAx)Ti3+yO8+2y，其中，A为Mg或Co，x的取值范围为0.02≤x≤0.08，y的取值范围为0.13≤y≤0.21。


2.一种如权利要求1所述的低介电损耗介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)按照通式Li2(Zn1-xAx)Ti3+yO8+2y，其中A为Mg或Co，0.02≤x≤0.08，0.13≤y≤0.21，根据化学计量准确称取原料Li2CO3、Zn(CH3COO)2·2H2O、锐钛矿型TiO2、MgO或CoO、纳米TiO2，其中锐钛矿型TiO2：纳米TiO2＝3：y；
(2)将步骤(1)称取的原料混匀形成混合物，送入球磨机中以300-400转/分钟的速率球磨3-4小时，完成后将混合物放入干燥箱内60-90℃干燥18-36小时；
(3)将上述混合物于850-950℃预烧2-4小时再降至常温；
(4)将预烧过的粉末再次送入球磨机中，以相同条件再次球磨4-6h并干燥；
(5)向将步骤(4)所得粉料中加入有机粘合剂，混匀后造粒，再通过压机和模具将颗粒状粉料压制成圆片状坯件；
(6)将步骤(5)得到的坯件连同烧结助剂送入烧结炉内进行终烧，即得本发明低介电损耗介质陶瓷。

【专利技术属性】
技术研发人员：龙克文，胡锦文，
申请(专利权)人：三桥惠佛山新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44