多面体硅晶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多面体硅晶的制备方法，属于多硅晶制备技术领域。所述制备方法为：以硅粉和硫粉的混合物为原料，以单质碘为输运剂；将原料和输运剂一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，后经高温反应；将步骤二所得产物取出，经洗涤除去残留的碘，即可得到所述多面体硅晶。本发明专利技术的制备方法新颖独特、简单高效，以硅粉，硫粉，碘等材料，通过高温反应即可完成多面体硅晶的制备，制备的硅晶形貌可控，晶体质量较硅粉原料有极大的提高，副产物为另一种重要的工业原料二硫化硅，这对于高晶体质量的多面体硅晶的简单制备具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
多面体硅晶的制备方法
本专利技术属于多硅晶制备
，具体涉及一种多面体硅晶的制备方法。
技术介绍
硅具有优异的电、光、电化学和生物相容性，现已广泛应用于微电子、太阳能光伏、半导体光电子器件、传感器、机械和生物等领域。随着全球多晶硅需求量的不断增加，多晶硅的制备工艺也得到了不断的发展。常见的有西门子法、冶金法、流化床法、碳热还原反应法、热线法和气液沉积法等。就目前来看，虽然多晶硅的制备工艺有很多，但是每种工艺在产能、能耗和环境污染等方面有着各自的特性。比如西门子法早期是采用三氯氢硅与氢气发生氧化还原反应，最终在硅芯上沉积硅，生产的产能却不高，而且会产生有毒尾气。改良后的西门子法依然存在平均沉积速率较低，沉积温度很高(沉积温度约为1100摄氏度左右)，而且工艺流程复杂、设备要求高、能耗高以及副产物(四氯化硅)多等缺点。文献《化学法和冶金法提纯多晶硅的技术进展》综述了冶金法提纯多晶硅技术近几年来的最新研究进展，介绍了目前生产太阳能级多晶硅的各种方法。相比于成熟的改良西门子法等化学方法，冶金法(物理法)在理论发展和技术应用上还仍存在一定差距本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多面体硅晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一：以硅粉和硫粉的混合物为原料，以单质碘为输运剂；/n步骤二：将原料和输运剂一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，后经高温反应；/n步骤三：将步骤二所得产物取出，经洗涤除去残留的碘，即可得到所述多面体硅晶。/n

【技术特征摘要】
1.多面体硅晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：以硅粉和硫粉的混合物为原料，以单质碘为输运剂；
步骤二：将原料和输运剂一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，后经高温反应；
步骤三：将步骤二所得产物取出，经洗涤除去残留的碘，即可得到所述多面体硅晶。


2.根据权利要求1所述的多面体硅晶的制备方法，其特征在于，所述硅粉和硫粉的物质的量之比为1:1，按照反应容器的容积计，单质碘的加入为2-4mg/mL。


3.根据权利要求1所述的多面体硅晶的制备方法，其特征在于，步骤二所述压力小于10-3...

【专利技术属性】
技术研发人员：程自强，
申请(专利权)人：华东交通大学，
类型：发明
国别省市：江西;36