错误校正码存储器和电子电路制造技术

本公开涉及一种错误校正码存储器和电子电路。错误校正码存储器包括一个或多个有意无效字。电子电路被配置为将一个或多个有意无效字写入错误校正码存储器。

【技术实现步骤摘要】
错误校正码存储器和电子电路相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月6日提交的法国专利申请号18/57993的优先权，其内容在法律允许的最大程度通过引用整体并入本文。
本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及错误校正码存储器。
技术介绍
在错误校正码存储器中，错误校正码使得能够检测和/或校正所存储的数据中的一个或多个错误。这种存储器通常被包括在集成电路芯片中。
技术实现思路
实施例克服了已知错误校正码存储器的全部或部分缺点。实施例提供了一种方法，其包括将一个或多个有意无效字写入错误校正码存储器。根据实施例，该方法包括：在上述写入之前，生成无效字。根据实施例，该方法包括：在上述写入之前，在存储器中为上述字选择连续位置。根据实施例，上述字或上述字之一包括单个无效位。根据实施例，上述字或上述字之一恰好包括两个无效位。根据实施例，该方法包括：在上述写入之后，锁定上述字的只读模式。实施例提供了一种错误校正码存储器，其包括一个或多个有意无效字本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种错误校正码存储器(102)，其特征在于，所述错误校正码存储器(102)包括存储器位置，并且所述存储器位置中的至少一个存储器位置存储了一个或多个有意无效字。/n

【技术特征摘要】
20180906 FR 18579931.一种错误校正码存储器(102)，其特征在于，所述错误校正码存储器(102)包括存储器位置，并且所述存储器位置中的至少一个存储器位置存储了一个或多个有意无效字。


2.根据权利要求1所述的错误校正码存储器，其特征在于，所述字位于连续位置(104A，104B)中。


3.根据权利要求1所述的错误校正码存储器，其特征在于，所述字是以只读模式可访问的。


4.根据权利要求1所述的错误校正码存储器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·布里亚，A·德穆恩克，A·巴斯托尼，S·玛梅，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，意法半导体鲁塞公司，意法半导体ALPS有限公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR