【技术实现步骤摘要】
一种宽带平坦增益的可变增益低噪声放大器
本专利技术涉及电子通信技术的毫米波前端电路领域，具体涉及一种宽带平坦增益的可变增益低噪声放大器。
技术介绍
近年来，许多业界及学术界研究机构将研究热点转向第五代（5G）通信，毫米波前端电路是5G通信系统中重要的一环，其中一个关键是位于接收机前端电路第一级的低噪声放大器。在5G相控阵接收机中，可变增益低噪声放大器会是一个更具有吸引力的选择，当弱的RF信号进入接收机，低噪声放大器需要具有最高的增益和最小噪声系数；在另一方面，如果输入的RF信号强，低噪声放大器提供中等增益和高线性度，以防止接收器饱和。在已有实现的可变增益低噪声放大器方案中，（KimS,KimHC,KimDH,etal.58-72GHzCMOSwidebandvariablegainlow-noiseamplifier[J].ElectronicsLetters,2011,47(16):904.）发表了一种模拟的电流导流的可变增益放大器，3dB增益带宽是58.5-73GHz，相对带宽是11%，1dB平坦增益带宽为10G...
【技术保护点】
1.一种宽带平坦增益的可变增益低噪声放大器，其特征在于，包括第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、第四电容（C4）、第五电容（C5）、第一电感（L1）、第二电感（L2）、第三电感（L3）、第四电感（L4）、第五电感（L5）、第一偏置电阻（RB1）、第二偏置电阻（RB2）、第一NMOS晶体管（M1）、第二NMOS晶体管（M2）、第一组开关晶体管、第二组开关晶体管、n个电阻、n个控制电压、直流偏置（VB1）和电源（VDD）；其中，第一组开关晶体管、第二组开关晶体管均分别包括n个开关晶体管；/n输入端（IN）经过第一电容（C1）连接到第一电感（L1）的负端，直流偏...
【技术特征摘要】
1.一种宽带平坦增益的可变增益低噪声放大器，其特征在于，包括第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、第四电容（C4）、第五电容（C5）、第一电感（L1）、第二电感（L2）、第三电感（L3）、第四电感（L4）、第五电感（L5）、第一偏置电阻（RB1）、第二偏置电阻（RB2）、第一NMOS晶体管（M1）、第二NMOS晶体管（M2）、第一组开关晶体管、第二组开关晶体管、n个电阻、n个控制电压、直流偏置（VB1）和电源（VDD）；其中，第一组开关晶体管、第二组开关晶体管均分别包括n个开关晶体管；
输入端（IN）经过第一电容（C1）连接到第一电感（L1）的负端，直流偏置（VB1）通过第一偏置电阻（RB1）连接到第一电感（L1）负端进行偏置；第一电感（L1）的正端连接到第一NMOS晶体管（M1）的栅极，第一NMOS晶体管（M1）的源级接地，第一NMOS晶体管（M1）的漏极连接到第二电感（L2）正端；第一电感（L1）的正端和第二电感（L2）的正端耦合，耦合系数为k，第一电感（L1）和第二电感（L2）形成一个变压器；
第二电感（L2）的负端和第三电感（L3）的负端相连，第二电感（L2）的负端和第三电感（L3）的负端均与第二电容（C2）连接；第二电容（C2）的另一端与第四电感（L4）的负端相连，并连接到第二偏置电阻（RB2）的一端，第二偏置电阻（RB2）的另一端与第五电感（L5）的负端连接，并接到电源（VDD）；第四电感（L4）的正端与第二NMOS晶体管（M2）的栅极连接，第二NMOS晶体管（M2）的漏极与第五电感（L5）的正端连接；第二NMOS晶体管（M2）的源级与第三电感（L3）的正端连接，第二NMOS晶体管（M2）的源级和第三电感（L3）的正端均与第三电容（C3）相连，第三电容（C3）的另一端接地；第五电感（L5）的正端连接输出端（OUT）；
第二电感（L2）的负端和第三电感（L3）的负端均与第四电容（C4）的一端相连，第四电容（C4）的另一端与第一组开关晶体管（Ma1~Man）的漏极相连；输出端OUT与第五电容（C5）的一端相连，第五电容（C5）的另一端与第二组开关晶体管（Mb1~Mbn）的漏极相连；第一组开关晶体管（Ma1~Man）和第二组开关晶体管（Mb1~Mbn）的源级接地；第一组开关晶体管（Ma1~Man）和第二组开关晶体管（Mb1~Mbn）构成n对数字开关对（（Ma1,Mb1）~（Man,Mbn）），对应晶体管的栅极分别通过n个电阻（R1~Rn）与n个控制电压（VCTRL1~VCTRLn）相连，n个控制电压（VCTRL1~VCTRLn）的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种宽带平坦增益的可变增益低噪声放大...
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