采用高次模实现的E-band双工器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种采用高次模实现的E‑band双工器，属于通讯技术领域。该E‑band双工器包括：盖板和腔体，所述腔体内设有双工器主体；所述双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，所述第二端口传输信号的频率高于所述第一端口传输信号的频率；所述第一端口与所述公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且所述公共端口与所述第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔。本发明专利技术实施例可以明显降低对E‑band双工器的加工精度，提高良率；盖板和腔体之间可以不镀银不焊接，既可以降低成本，也不会影响E‑band双工器的性能，还可以避免加工两个对称的腔体，从而可以降低生产成本和生产难度。

【技术实现步骤摘要】
采用高次模实现的E-band双工器
本专利技术实施例涉及通讯
，特别涉及一种采用高次模实现的E-band双工器。
技术介绍
E-band的工作频率高，频带很宽，频谱资源丰富，是5G通信的研究热点。E-band5G通信基站的开发离不开工作于该频带的高性能的E-band双工器。相关技术中，可以采用TE10模实现E-band双工器。由于采用TE10模实现的E-band双工器的工作频率在80G赫兹，频率很高，尺寸很小，几乎不可以调试，因此，该E-band双工器的精度要求非常高。另外，若将该E-band双工器从H面剖开，则必须焊接，需要镀银；若将该E-band双工器从E面剖开，则不需要焊接，但是需要加工两个对称的腔体。由于采用TE10模实现E-band双工器的精度要求非常高，所以，导致E-band双工器的良率比较低。另外，若需要镀银，则会增加成本，且镀银的厚度会影响E-band双工器的性能；若需要加工两个对称的腔体，则会增加一倍的加工成本。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种采用高次模实现的E-band双工器，用于解决现有技术中的问题。所述技术方案如下：一方面，提供了一种采用高次模实现的E-band双工器，所述E-band双工器包括：盖板和腔体，所述腔体内设有双工器主体；所述双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，所述第二端口传输信号的频率高于所述第一端口传输信号的频率；所述第一端口与所述公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且所述公共端口与所述第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔。在一种可能的实现方式中，全部谐振腔都是二次模谐振腔；或者，全部谐振腔都是三次模谐振腔；或者，部分谐振腔是二次模谐振腔，剩余谐振腔是三次模谐振腔。在一种可能的实现方式中，所述第一端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上设置有零腔结构，所述第二端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上设置有零腔结构。在一种可能的实现方式中，所述零腔结构为位于所述目标谐振腔的上表面的凸出结构。在一种可能的实现方式中，若设置有所述零腔结构的目标谐振腔为二次模谐振腔，则所述零腔结构设置在所述目标谐振腔的边缘位置；若设置有所述零腔结构的目标谐振腔为三次模谐振腔，则所述零腔结构设置在所述目标谐振腔的中间位置。在一种可能的实现方式中，若所述零腔结构设置在所述第一端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上，则所述零腔结构的尺寸的大小与第一距离的大小呈正相关关系，所述第一距离为所述目标谐振腔距离所述公共端口的距离。在一种可能的实现方式中，若所述零腔结构设置在所述第二端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上，则所述零腔结构的尺寸的大小与第二距离的大小呈正相关关系，所述第二距离为所述目标谐振腔距离所述第二端口的距离。在一种可能的实现方式中，位于所述第一端口与所述公共端口之间，且与所述公共端口相邻的谐振器组用于消除寄生谐振，所述谐振器组中包含一个谐振器或相邻的多个谐振器。在一种可能的实现方式中，相邻谐振腔直接的耦合窗口的隔墙顶部和所述盖板不接触，且相邻谐振腔之间通过所述隔墙顶部与所述盖板之间的耦合缝隙进行耦合。在一种可能的实现方式中，所述盖板与所述腔体之间通过螺钉固定。本专利技术实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：由于双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，第一端口与公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且公共端口与第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，而采用高次模实现的谐振腔的尺寸比常规的谐振腔的尺寸大一倍以上，可以明显降低对E-band双工器的加工精度，提高良率。另外，基于高次模的电场分布方式，高次模谐振腔的泄露很少，盖板和腔体之间可以不镀银不焊接，既可以降低成本，也不会影响E-band双工器的性能，还可以避免加工两个对称的腔体，从而可以降低生产成本和生产难度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一个实施例中的一种采用高次模实现的E-band双工器的示意图；图2是本专利技术一个实施例中的一种双工器主体的示意图；图3是本专利技术一个实施例中的一种目标谐振腔的放大示意图；图4是本专利技术一个实施例中的第一端口和第二端口的传输频率响应曲线图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。请参考图1，其示出了本专利技术实施例提供的一种采用高次模实现的E-band双工器，该E-band双工器包括：盖板110和腔体120，且腔体120内设有双工器主体130。本实施例中的E-band双工器包含一个盖板110和一个腔体120，且盖板110和腔体120相互配合以用于封装双工器主体130。其中，盖板110和腔体120的形状可以根据需要设置，本实施例中以盖板110和腔体120都是矩形进行举例说明。双工器主体130包括第一端口131、公共端口132和第二端口133。由于第二端口133传输信号的频率高于第一端口131传输信号的频率，所以，也可以将第一端口131称为低端端口131，将第二端口133称为高端端口133。本实施例中，公共端口132位于第一端口131和第二端口133之间，且第一端口131与公共端口132之间设置有一排谐振腔134，第二端口133与公共端口132之间也设置有一排谐振腔134。其中，第一端口131与公共端口132之间排列的谐振腔134为高次模谐振腔，且公共端口132与第二端口133之间排列的谐振腔134为高次模谐振腔，本实施例不对谐振腔134的数量作限定。其中，高次模谐振腔是相对于基模谐振腔来说的，即比基模谐振腔高次的谐振腔称为高次模谐振腔。本实施例中以高次模谐振腔为二次模谐振腔和三次模谐振腔为例进行举例说明。本实施例中，可以根据E-band双工器的指标和尺寸要求设计高次模谐振腔为二次模谐振腔和/或三次模谐振腔，下面对其中的三种实现方式进行说明。在第一种实现方式中，全部谐振腔134都是二次模谐振腔。即，E-band双工器中所有的谐振腔134都是二次模谐振腔。在第二种实现方式中，全部谐振腔134都是三次模谐振腔。即，E-band双工器中所有的谐振腔134都是三次模谐振腔。在第三种实现方式中，部分谐振腔134是二次模谐振腔，剩余谐振腔134是三次模谐振腔。即，E-band双工器中有一部分谐振腔是二次模谐振腔134，剩余所有的谐振腔134是三次模谐振腔。比如，E-band双工器中的目标谐振腔134是三次模谐振腔，非目标谐振腔134是二次模谐振腔，目标谐振腔134是设置有零腔结构135的谐振腔134，非目标谐振腔134是未设置零腔结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用高次模实现的E-band双工器，其特征在于，所述E-band双工器包括：盖板和腔体，所述腔体内设有双工器主体；/n所述双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，所述第二端口传输信号的频率高于所述第一端口传输信号的频率；/n所述第一端口与所述公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且所述公共端口与所述第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用高次模实现的E-band双工器，其特征在于，所述E-band双工器包括：盖板和腔体，所述腔体内设有双工器主体；
所述双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，所述第二端口传输信号的频率高于所述第一端口传输信号的频率；
所述第一端口与所述公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且所述公共端口与所述第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔。


2.根据权利要求1所述的E-band双工器，其特征在于，
全部谐振腔都是二次模谐振腔；或者，
全部谐振腔都是三次模谐振腔；或者，
部分谐振腔是二次模谐振腔，剩余谐振腔是三次模谐振腔。


3.根据权利要求1所述的E-band双工器，其特征在于，
所述第一端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上设置有零腔结构，所述第二端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上设置有零腔结构。


4.根据权利要求3所述的E-band双工器，其特征在于，所述零腔结构为位于所述目标谐振腔的上表面的凸出结构。


5.根据权利要求3所述的E-band双工器，其特征在于，
若设置有所述零腔结构的目标谐振腔为二次模谐振腔，则所述零腔结构设置在所述目标谐振腔的边缘位置；
若设置有所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：江顺喜，杜锦杰，殷实，梁国春，周方平，项显，彭海璐，
申请(专利权)人：江苏贝孚德通讯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32