碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长用坩埚包括坩埚本体和石墨棒，所述坩埚本体具有容纳腔，所述容纳腔具有用于容纳碳化硅晶体生长原料的生长原料区；所述石墨棒设置在所述容纳腔内，并且所述石墨棒的至少部分位于所述生长原料区。石墨棒的设置能够避免坩埚本体的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，提高生长原料的利用率，而且石墨棒还能够增强感应加热的热量分布，使得坩埚本体中的生长原料温度场分布更加均匀，进而有利于晶体的生长，从而解决了现有技术中碳化硅晶体生长原料的利用率低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置
本技术涉及电子工业和半导体材料
，具体涉及一种碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的代表，它具有能带宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高，以及介电常数低、化学稳定性好等特点，成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电整合元件的理想材料，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体元件及紫外探测器等方面，都具有广泛的应用前景。SiC优越的半导体特性，未来将可为众多的元件所采用。随着SiC半导体技术的进一步发展，SiC元件的应用领域也越来越广阔，成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的新热点。PVT法是目前世界上公认的生长碳化硅单晶最成熟的方法，该技术生长的碳化硅单晶已经在很多国家实现了商业化量产。该方法是通过电磁感应线圈对石墨坩埚加热，生长原料(碳化硅粉体)在石墨坩埚中高温下通过升华分解并在温度梯度的驱动下向低温区移动，最终在石墨坩埚的籽晶上形核成晶，生长成碳化硅晶体。在实际的晶体生长中，石墨坩埚中的生长原料由于温度场分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长用坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(1)和石墨棒(2)，所述坩埚本体(1)具有容纳腔，所述容纳腔具有用于容纳碳化硅晶体生长原料的生长原料区(3)；所述石墨棒(2)设置在所述容纳腔内，并且所述石墨棒(2)的至少部分位于所述生长原料区(3)；所述石墨棒(2)的高度为所述容纳腔高度的2/3，所述石墨棒(2)的直径为所述坩埚本体(1)内径的2/15-1/5。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长用坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(1)和石墨棒(2)，所述坩埚本体(1)具有容纳腔，所述容纳腔具有用于容纳碳化硅晶体生长原料的生长原料区(3)；所述石墨棒(2)设置在所述容纳腔内，并且所述石墨棒(2)的至少部分位于所述生长原料区(3)；所述石墨棒(2)的高度为所述容纳腔高度的2/3，所述石墨棒(2)的直径为所述坩埚本体(1)内径的2/15-1/5。


2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长用坩埚，其特征在于，所述石墨棒(2)的一端固定于所述坩埚本体(1)的底面并垂直于所述坩埚本体(1)的底面设置。


3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长用坩埚，其特征在于，所述石墨棒(2)呈圆柱状，所述石墨棒(2)的中心轴与所述坩埚本体(1)的中心轴位于同一条直线上。


4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐良，曹力力，蓝文安，朱卫祥，阳明益，刘建哲，余雅俊，
申请(专利权)人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33