含氮化合物、电子元件及电子装置制造方法及图纸

本申请提供一种含氮化合物、电子元件及电子装置，涉及有机材料技术领域。该含氮化合物如式I‑1所示，本申请的含氮化合物具有能够降低电子元件的工作电压、提高器件效率和延长器件寿命的特性。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、电子元件及电子装置
本申请涉及有机材料领域，具体而言，涉及一种含氮化合物、电子元件及电子装置。
技术介绍
近年来，随着半导体技术的发展，电子元件受到广泛应用，例如：有机电致发光器件(OLED，Organicelectroluminescentdevice)作为新一代显示装置逐渐进入人们的视野。常见的有机电致发光器件是由阳极、阴极以及设于阴极和阳极之间的有机层构成。当向阴极和阳极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子与阳极侧的空穴同时向发光层移动，且其在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态变为基态的过程对外发光。现有有机电致发光器件主要包括空穴传输层、发光层及电子传输层，但由于各层之间载流子的传输性能较差，进而使得器件在工作电压上升，发光效率降低，寿命缩短，导致器件的性能下降。现有技术文献也对此进行了研究，例如：专利文献KR1020170097242；专利文献KR1020170161944及专利文献KR1020170048045。需要说明的是，在上述
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构通式如式I-1所示：/n

【技术特征摘要】
20191031 CN 201911054880X1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构通式如式I-1所示：



其中，X为氧或硫；
R选自：取代或未取代的成环碳原子数为1-10的杂环烷基、取代或未取代的成环碳原子数为5-20的杂芳基；
L选自：单键、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为1-30亚杂芳基；
所述L的取代基选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、杂环烷基、烷氧基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、芳氧基、芳硫基、芳基、杂芳基、卤素基团、氰基、卤代烷基；
Ra和Rb相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为2-10的杂环烷基、碳原子数为1-15的烷基和碳原子数为3-30的杂芳基；na是Ra的个数，nb是Rb的个数；
na选自0、1、2、3或4，当na大于1时，任意两个Ra相同或者不相同；
nb选自0、1、2，当nb大于1时，任意两个Rb相同或者不相同；
Ar1、Ar2相同或不同，且分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为6-30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3-30的杂芳基；
所述Ar1、Ar2和R的取代基分别独立地选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、杂环烷基、烷氧基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、芳基、杂芳基、卤素基团、氰基、卤代烷基。


2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，式I-1所示的化合物选自式I所示的化合物：



其中，X为氧或硫；
R选自：取代或未取代的成环碳原子数为1-10的杂环烷基、取代或未取代的成环碳原子数为5-15的杂芳基；
L选自：单键、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为1-30亚杂芳基；
所述R的取代基选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、杂环烷基、烷氧基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基；
所述L的取代基选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、杂环烷基、烷氧基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、芳氧基、芳硫基。


3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，式I-1所示的化合物选自以下化合物：





4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2不同时为苯基。


5.根据权利要求1至4任意一项所述的含氮化合物，其特征在于，所述R选自：取代或未取代的成环碳原子数为3-5的杂环烷基、取代或未取代的成环碳原子数为5-15的杂芳基。


6.根据权利要求1至4任意一项所述的含氮化合物，其特征在于，所述L选自：单键、取代或未取代的碳原子数为6-25的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为5-25的亚杂芳基。


7.根据权利要求1至4任意一项所述的含氮化合物，其特征在于，所述L选自：单键、取代或未取代的碳原子数为6-15的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为...

【专利技术属性】
技术研发人员：马天天，杨敏，南朋，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61