硅-玻璃用低温阳极键合工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅‑玻璃用低温阳极键合工艺，其包括如下步骤：步骤1、对硅晶圆、玻璃衬底进行表面清洗工艺；步骤2、对玻璃衬底、硅晶圆进行氧等离子体处理；步骤3、将上述玻璃衬底与硅晶圆置于阳极键合设备中，当阳极键合设备达到所需的真空度时，对玻璃衬底与硅晶圆进行加热，在玻璃衬底与硅晶圆的加热温度达到180℃～250℃时，将玻璃衬底与硅晶圆接触，并在所需键合电压400V～500V的作用下使得玻璃衬底与硅晶圆完成所需的阳极键合。本发明专利技术与现有工艺兼容，能降低阳极键合的温度和电压，提高芯片型原子钟等产品的良率，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
硅-玻璃用低温阳极键合工艺
本专利技术涉及一种阳极键合工艺，尤其是一种硅-玻璃用低温阳极键合工艺，属于阳极键合的

技术介绍
芯片型原子钟是控制时间和空间基准的重要设备，是任何依赖精确授时设备的基础；其广泛应用将会产生深远甚至革命性的影响，将会带来良好的社会效益和经济效益。芯片级原子钟的核心部件是提供频率振荡基准的碱金属(Cs/Rb)蒸汽盒，它的质量好坏将直接影响原子钟的体积，稳定度和长期可靠性等多项性能。因此，制作出体积小，可靠性高的蒸汽盒是实现芯片级原子钟工作的关键；此外，原子钟微型化最主要的就是碱金属原子腔的微型化。如何实现碱金属原子的填充和密封，是微型原子钟制造过程中面临的最具挑战性的问题。目前，最常使用的和可靠的封装方法是MEMS技术中的阳极键合法。阳极键合是将硅晶圆与玻璃衬底相键合的常用键合方法。键合时，硅晶圆置于阳极加热板上，玻璃衬底与阴极连接。键合温度为300～450℃，电压为～800V，压力100～300kPa。阳极键合是不导电的，对于气密性、热稳定性和化学稳定性具有较高要求，而且机械强度高。然而，Pyrex7本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅-玻璃用低温阳极键合工艺，其特征是，所述低温阳极键合工艺包括如下步骤：/n步骤1、提供待键合的硅晶圆以及玻璃衬底，并对所提供的硅晶圆、玻璃衬底进行表面清洗工艺，以清除所述硅晶圆以及玻璃衬底相对应表面的有机物和灰尘颗粒；/n步骤2、将上述清洗后的玻璃衬底以及硅晶圆置于低温键合设备中，以利用低温键合设备对玻璃衬底、硅晶圆进行氧等离子体处理；/n步骤3、将上述氧等离子体处理后的玻璃衬底与硅晶圆置于阳极键合设备中，当阳极键合设备达到所需的真空度时，对玻璃衬底与硅晶圆进行加热，在玻璃衬底与硅晶圆的加热温度达到180℃～250℃时，将玻璃衬底与硅晶圆接触，并在400V～500V键合电压的作用下使...

【技术特征摘要】
1.一种硅-玻璃用低温阳极键合工艺，其特征是，所述低温阳极键合工艺包括如下步骤：
步骤1、提供待键合的硅晶圆以及玻璃衬底，并对所提供的硅晶圆、玻璃衬底进行表面清洗工艺，以清除所述硅晶圆以及玻璃衬底相对应表面的有机物和灰尘颗粒；
步骤2、将上述清洗后的玻璃衬底以及硅晶圆置于低温键合设备中，以利用低温键合设备对玻璃衬底、硅晶圆进行氧等离子体处理；
步骤3、将上述氧等离子体处理后的玻璃衬底与硅晶圆置于阳极键合设备中，当阳极键合设备达到所需的真空度时，对玻璃衬底与硅晶圆进行加热，在玻璃衬底与硅晶圆的加热温度达到180℃～250℃时，将玻璃衬底与硅晶圆接触，并在400V～500V键合电压的作用下使得玻璃衬底与硅晶圆完成所需的阳极键合。


2.根据权利要求1所述的硅-玻璃用低温阳极键合工艺，其特征是：所述硅晶圆的厚度为300μm～500μm，玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云翔，冒薇，段仲伟，祝翠梅，姚园，许爱玲，
申请(专利权)人：苏州美图半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32