一种太赫兹源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于太赫兹源制备技术领域，具体涉及一种太赫兹源装置。该装置包括顶面和沿所述顶面的一侧形成的至少两侧面，所述侧面和所述顶面形成一容纳区；硅透镜，设置于所述容纳区内；PIN光电二极管，设置于所述顶面远离所述侧面的一侧；天线，设置于所述PIN光电二极管的两端，分别与其P接触区和N接触区相连。该装置具有高带宽、高增益、高信噪比、体积小、便携、低成本，能够在室温的条件下工作，且该装置具有空腔的支撑结构内设有半球硅透镜，结构简单、体积小、便于携带，且该半球硅透镜可以使天线产生的太赫兹波的波束更为紧凑，天线的增益变大，使太赫兹源更适合在实际生活中应用。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹源装置
本技术属于太赫兹源制备
，具体涉及一种太赫兹源装置。
技术介绍
太赫兹波是位于电磁波频谱上0.1THz到10THz范围内的电磁波。太赫兹波具有诸多独特性能，使其在安全检查、医学成像和无线通信等应用研究领域都具有广泛的应用前景。太赫兹源是THz科学技术发展的关键，也是其能够得到广泛应用的基础。然而，高性能THz辐射源的缺乏严重限制了THz技术的推广。近年来，国内外多家研究机构对多种太赫兹辐射源开展了研究，所涉及的THz产生技术一方面为利用电子学方法产生THz辐射：主要包括THz量子级联激光器；基于电子学振荡的THz辐射源，如耿氏振荡器及隧道二极管等。另一方面是利用光学方法产生THz波的技术，基于超短激光脉冲的光电导技术等。量子级联激光器是一种重要的倍受青睐的太赫兹辐射源，这是因为它具有功率大、频谱范围广、重量轻、体积小、易于集成和转换效率高等优点。通过改变量子级联激光器有源波导的厚度提高腔内的光功率和模式限制因子，能够在5K下得到470mW脉冲输出功率，其最高工作温度可达122K[Brandstetter,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹源装置，其特征在于，包括，/n衬底，包括顶面和沿所述顶面的一侧形成的至少两侧面，所述侧面和所述顶面形成一容纳区；/n硅透镜，设置于所述容纳区内；/nPIN光电二极管，设置于所述顶面远离所述侧面的一侧；/n天线，设置于所述PIN光电二极管的两端，分别与P接触区和N接触区相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹源装置，其特征在于，包括，
衬底，包括顶面和沿所述顶面的一侧形成的至少两侧面，所述侧面和所述顶面形成一容纳区；
硅透镜，设置于所述容纳区内；
PIN光电二极管，设置于所述顶面远离所述侧面的一侧；
天线，设置于所述PIN光电二极管的两端，分别与P接触区和N接触区相连。


2.根据权利要求1所述的太赫兹源装置，其特征在于，所述硅透镜为半球形。


3.根据权利要求1或2所述的太赫兹源装置，其特征在于，所述两侧面相对设置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙思维，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32