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本实用新型属于太赫兹源制备技术领域，具体涉及一种太赫兹源装置。该装置包括顶面和沿所述顶面的一侧形成的至少两侧面，所述侧面和所述顶面形成一容纳区；硅透镜，设置于所述容纳区内；PIN光电二极管，设置于所述顶面远离所述侧面的一侧；天线，设置于所述...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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