用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置制造方法及图纸

快速热处理（ＲＴＰ）系统（１１０）包括监控由硅晶圆（３２）对来自处于较低功率级ＲＴＰ灯（４６）的辐射的吸收而决定的温度的透射高温计（１２）。建立涉及对应于晶圆和辐射灯温度的光电检测器的光电流的非标准化值的查找表。校准步骤（１７０）通过已知的晶圆和灯温度测量光电流并且因此标准化其后测量的所有光电流（１４２）。透射高温计可用于对低于５００℃的热处理执行闭环控制或者用于包括闭环控制的辐射高温计的较高温度工艺的预加热阶段。通过测量初始上升速率并相应重新调整灯功率控制预加热温度上升速率。在具有光束分离器（２０４）的集成结构中可以包括透射高温计和辐射高温计，其中所述光束分离器划分来自晶圆的辐射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术从广义上涉及半导体的热处理。具体地，本专利技术涉及硅晶圆的快速热处理(RTP)。
技术介绍
快速热处理(RTP)为适用于包括退火、掺杂剂激活、氧化和氮化等的多 种热工艺的术语。通常在高于1000'C的相对较高温度执行上述工艺。上述快 速热处理还可以用于在存在前驱物或者蚀刻气体的情况下执行蚀刻或者化学 气相沉积中。后一工艺通常在RTP腔室中在500'C到800'C之间的稍低温度下 执行。RTP典型地依赖于装配于灯头中并照射待处理的衬底的一列高强度白识 灯。这些灯以通电方式提供能量并可以快速导通和截止，同时其辐射的主要部 分射向衬底。因此，该晶圆可以在基本不加热腔室的情况下得到快速加热并在 其后一旦从所述灯上去除电源可以尽快冷却。因此，可以更准确地控制预定温 度下的处理时间并且可以减少总热预算。另外，由于总处理时间降低，因此产 量得到提高。图1示意性地示出由Ranish等人在美国专利6，376，804中描述的RTP反应 器10的截面图，在此引用该专利的全部内容作为参考，并且该反应器为 California的Santa Clarad的Applied Materials公司提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理系统，包括：　　　　可控的辐射热源；　　　　支撑组件，配置用于支撑位于其上并与所述辐射热源相对的衬底；　　　　至少一个透射高温计，设置在所述支撑组件的相对侧，同时所述衬底支撑于所述至少一个透射高温计上部并且其用于检测来自所述辐射热源的辐射；以及　　　　电源控制系统，响应于所述至少一个透射高温计的输出，控制分配给所述辐射热源的能量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚伦缪尔亨特，巴拉苏布若门尼拉马钱德伦，科琳娜埃琳娜塔纳瑟，拉杰士S罗摩努亚姆，塔彭恩T迪克西特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[]