【技术实现步骤摘要】
一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置
本技术涉及光纤通信
,特别是一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置。
技术介绍
常规的AWG(ArrayedWaveguideGrating,阵列波导光栅)成品FA(FiberArray,光纤阵列)或毛细管与芯片耦合后要求剪切力大于1~2Kg。然而一般芯片宽度与FA或毛细管的宽度不同,耦合后存在宽度差,耦合接触面积相差较大,耦合后因两个部件上的胶量相差较大,内部存在较大的应力,从而影响产品的耦合效率,而且因接触面积不同,耦合后剪切力不方便管控。为此我们研发了一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,用以解决以上缺点。
技术实现思路
本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,具有提高剪切力、提高耦合效率等优点。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,包括一光纤、一毛细管与一芯片,所述毛细管的一端与所述光纤连接,所述毛细管的另一端与所述芯片连接,所述光纤远离所述毛细管的一端处设有一光纤连接组件,所述光纤穿过所述毛细管与所述芯片连接。优选的,所述毛细管为圆柱结构,所述毛细管与所述光纤通过透明胶连接。优选的,所述毛细管包括一毛细管端面,所述芯片包括一芯片端面,所述毛细管端面与所述芯片端面通过耦合胶连接。优选的,所述芯片的外径与所述毛细管的外径相同。优选的,所述耦合胶包括上耦合胶和下耦合胶,所述毛细管的顶端与所述芯片的顶端通过所述上耦合 ...
【技术保护点】
1.一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,其特征在于:包括一光纤(20)、一毛细管(30)与一芯片(40),所述毛细管(30)的一端与所述光纤(20)连接,所述毛细管(30)的另一端与所述芯片(40)连接,所述光纤(20)远离所述毛细管(30)的一端处设有一光纤连接组件(10),所述光纤(20)穿过所述毛细管(30)与所述芯片(40)连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,其特征在于:包括一光纤(20)、一毛细管(30)与一芯片(40),所述毛细管(30)的一端与所述光纤(20)连接,所述毛细管(30)的另一端与所述芯片(40)连接,所述光纤(20)远离所述毛细管(30)的一端处设有一光纤连接组件(10),所述光纤(20)穿过所述毛细管(30)与所述芯片(40)连接。
2.根据权利要求1所述提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,其特征在于,所述毛细管(30)为圆柱结构,所述毛细管(30)与所述光纤(20)通过透明胶(25)连接。
3.根据权利要求2所述提高毛细管与芯片耦合接触面积的装置,其特征在于,所述毛细管(30)包括一毛细管端面(35),所述芯片(40)包括一芯片端面(45),所述毛细管端面(35)与所述芯片端面(45)通过...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹支农,
申请(专利权)人:苏州天孚光通信股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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