半导体激光器和电子设备制造技术

根据本公开的一个实施例的半导体激光器设置有半导体多层部。半导体多层部依次包含第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和由透明导电材料形成的第二包覆层。该半导体多层部在包含该接触层的部分中另外具有在该层叠面内的一个方向上延伸的脊形。每个低浓度杂质层具有5.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光器和电子设备
本公开涉及一种半导体激光器和包括该半导体激光器的电子设备。
技术介绍
已经公开了半导体激光器的各种技术。引文清单专利文献专利文献1：日本特开2009-94360号公报专利文献2：日本特开2013-42107号公报专利文献3：日本特开2004-289157号公报专利文献4：日本特开2007-129246号公报专利文献5：日本特开2016-66670号公报专利文献6：日本特开2001-77463号公报专利文献7：日本特开2009-117695号公报专利文献8：日本特开2006-41491号公报
技术实现思路
已经要求半导体激光器的高功率输出来增加亮度。这种高功率输出引起发热问题。基于功率转换效率确定发热量。因此，为了减少这种发热量，不仅光输出特性而且驱动电压的降低都是重要的。因此，期望提供一种能够降低驱动电压的半导体激光器和包括该半导体激光器的电子设备。根据本公开的一个实施例的第一半导体激光器包括半导体叠层。该半导体叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，包括：/n半导体叠层，所述半导体叠层依次包括第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和包括透明导电材料的第二包覆层，所述半导体叠层在包括所述接触层的部分中具有在堆叠面内的方向上延伸的脊形，/n所述一个或多个低浓度杂质层具有5.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180123 JP 2018-0089551.一种半导体激光器，包括：
半导体叠层，所述半导体叠层依次包括第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和包括透明导电材料的第二包覆层，所述半导体叠层在包括所述接触层的部分中具有在堆叠面内的方向上延伸的脊形，
所述一个或多个低浓度杂质层具有5.0×1017cm-3以下的杂质浓度，所述低浓度杂质层的总厚度为250nm以上且1000nm以下，
所述第二包覆层与最靠近所述第二包覆层的低浓度杂质层之间的距离为150nm以下。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第一包覆层、所述活性层、所述低浓度杂质层和所述接触层均包括氮化物半导体。


3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中所述透明导电材料为ITO(氧化铟锡)或ITiO(氧化铟钛)。


4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中包括在所述低浓度杂质层中的所述杂质是镁、铜、硅或氧中的至少一者。


5.根据权利要求1所述的半导体激光器，进一步包括设置在所述活性层和所述接触层之间的载流子阻挡层，
其中在所述低浓度杂质层中，所述脊形的正下方的部分具有比所述脊形的侧部更大的厚度。


6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其中所述载流子阻挡层具有梯度层，在所述梯度层中，组成被梯度化以允许所述载流子阻挡层的带隙能量朝向所述接触层减小。


7.一种半导体激光器，包含：
半导体叠层，所述半导体叠层依次包括：第一包覆层、活性层、具有5....

【专利技术属性】
技术研发人员：德田耕太，渡边秀辉，河角孝行，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP