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根据本公开的一个实施例的半导体激光器设置有半导体多层部。半导体多层部依次包含第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和由透明导电材料形成的第二包覆层。该半导体多层部在包含该接触层的部分中另外具有在该层叠面内的一个方向上延伸的脊形。...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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