【技术实现步骤摘要】
斜坡信号发生器和包括该斜坡信号发生器的图像传感器
本公开的实施方式总体上涉及斜坡信号发生器和包括该斜坡信号发生器的图像传感器，更具体而言，涉及允许斜坡信号发生器降低噪声的技术。
技术介绍
在电荷耦合器件(CCD)在过去几十年中主导了大多数图像感测装置的成像领域中，已经采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术来设计和制造传感器。传统上，与CCD相比，CMOS图像传感器(CIS)的图像质量较低。然而，CIS在图像质量上正迅速达到与CCD相当的水平，并且由于其低功耗、低价格和小尺寸的优点而正迅速扩张到图像传感器市场中。值得注意的是，CIS允许摄像机以高质量和高帧率进行记录，并且现在还在向摄像机市场扩张。除了其它部件外，CIS包括模数转换器(ADC)，以将从像素阵列生成的模拟信号(像素信号)转换成数字信号。相关双采样能够通过从像素的实际信号中减去参考输出信号来提高信噪比。ADC使用相关双采样得到的信号来进行模数转换。在对由图像传感器像素阵列生成的模拟输出电压执行相关双采样之后，ADC将所得到的信号与由斜坡信号发生器生...
【技术保护点】
1.一种斜坡信号发生器，所述斜坡信号发生器包括：/n参考电压发生器，所述参考电压发生器被配置为生成参考电压；/n增益控制器，所述增益控制器被配置为控制所述参考电压的增益；/n斜坡信号控制器，所述斜坡信号控制器被配置为响应于所述增益控制器的输出信号而生成斜坡信号；以及/n偏移控制器，所述偏移控制器联接到所述增益控制器的输出端子以形成电流镜，并且被配置为响应于控制信号而控制所述斜坡信号的偏移。/n
【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01714531.一种斜坡信号发生器，所述斜坡信号发生器包括：
参考电压发生器，所述参考电压发生器被配置为生成参考电压；
增益控制器，所述增益控制器被配置为控制所述参考电压的增益；
斜坡信号控制器，所述斜坡信号控制器被配置为响应于所述增益控制器的输出信号而生成斜坡信号；以及
偏移控制器，所述偏移控制器联接到所述增益控制器的输出端子以形成电流镜，并且被配置为响应于控制信号而控制所述斜坡信号的偏移。
2.根据权利要求1所述的斜坡信号发生器，其中，所述斜坡信号控制器包括：
斜坡单元，所述斜坡单元被配置为响应于所述控制信号通过所述增益控制器的输出电压电平来生成所述斜坡信号；以及
电阻器，所述电阻器联接在所述斜坡单元和接地电压端子之间。
3.根据权利要求2所述的斜坡信号发生器，其中，所述斜坡单元被配置为通过响应于所述控制信号调节要联接的晶体管的数量来生成所述斜坡信号。
4.根据权利要求2所述的斜坡信号发生器，其中，所述斜坡单元包括：
多个晶体管，所述多个晶体管并联联接至电源电压输入端子，并且被配置为响应于所述增益控制器的输出信号而选择性地导通；以及
多个开关元件，所述多个开关元件联接在所述多个晶体管与所述斜坡信号的输出端子之间，并且被配置为由所述控制信号选择性地开关。
5.根据权利要求4所述的斜坡信号发生器，其中，所述多个晶体管包括至少一个PMOS晶体管。
6.根据权利要求4所述的斜坡信号发生器，其中，所述多个晶体管被配置为具有相同的沟道尺寸。
7.根据权利要求1所述的斜坡信号发生器，其中，所述偏移控制器被配置为控制所述斜坡信号的直流电平。
8.根据权利要求1所述的斜坡信号发生器，其中，所述偏移控制器包括：
多个偏移单元，所述多个偏移单元并联联接在电源电压输入端子与所述斜坡信号的输出端子之间，并且响应于所述控制信号而选择性地导通。
9.根据权利要求8所述的斜坡信号发生器，其中，所述多个偏移单元依次导通。
10.根据权利要求8所述的斜坡信号发生器，其中，所述多个偏移单元当中的每一个偏移单元包括：
晶体管，所述晶体管联接到所述电源电压输入端子，使得所述晶体管的栅极端子联接到所述增益控制器的输出端子；以及
开关元件，所述开关元件联接在所述晶体管和所述斜坡信号的所述输出端子之间，使得所述开关元件的开关操作由所述控制信号控制。
11.根据权利要求10所述的斜坡信号发生器，其中，分别被包含在所述多个偏移单元中的所述晶体管被配置为具有相同的沟道尺寸。
12.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金真善，申旼锡，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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