【技术实现步骤摘要】
包括噪声阻挡结构的图像感测装置
本专利文献所公开的技术和实现方式涉及一种图像感测装置。
技术介绍
图像感测装置是利用对光做出反应的半导体特性来捕获至少一个图像的装置。近年来，随着计算机行业和通信行业的不断发展，在例如数字相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医疗微型相机、机器人等的各种领域中对高质量和高性能图像传感器的需求快速增加。图像感测装置可大致分类为基于CCD(电荷耦合器件)的图像感测装置和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像感测装置。最近，由于模拟控制电路和数字控制电路可被直接实现为单个集成电路(IC)，所以基于CMOS的图像感测装置迅速得以广泛使用。
技术实现思路
所公开的技术的各种实施方式涉及一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。所公开的技术的一些实现方式涉及一种图像感测装置，其能够有效地防止从嵌入其中的逻辑电路块产生的噪声泄漏到逻辑电路块之外并导致对图像感测装置的其它块的不期望的影响。根据所公开的技术的实施方式，一种图像感测装置可包括：半导体基板，其被构...
【技术保护点】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：/n半导体基板，该半导体基板被构造为支撑多个图像像素和逻辑电路，所述多个图像像素在检测到入射光时生成信号，所述逻辑电路被配置为处理由所述图像像素生成的所述信号；以及/n噪声阻挡结构，该噪声阻挡结构设置在所述半导体基板处，并且形成为围绕所述逻辑电路，/n其中，所述噪声阻挡结构包括：/n第一阻挡结构，该第一阻挡结构包括彼此间隔开的多个部分，所述多个部分中的每一个成一条线延伸而没有任何弯曲部分，以及/n第二阻挡结构，该第二阻挡结构设置在所述第一阻挡结构的所述多个部分之间并且包括与所述第一阻挡结构的所述多个部分局部地交叠的部分。/n
【技术特征摘要】
20181212 KR 10-2018-01597941.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，该半导体基板被构造为支撑多个图像像素和逻辑电路，所述多个图像像素在检测到入射光时生成信号，所述逻辑电路被配置为处理由所述图像像素生成的所述信号；以及
噪声阻挡结构，该噪声阻挡结构设置在所述半导体基板处，并且形成为围绕所述逻辑电路，
其中，所述噪声阻挡结构包括：
第一阻挡结构，该第一阻挡结构包括彼此间隔开的多个部分，所述多个部分中的每一个成一条线延伸而没有任何弯曲部分，以及
第二阻挡结构，该第二阻挡结构设置在所述第一阻挡结构的所述多个部分之间并且包括与所述第一阻挡结构的所述多个部分局部地交叠的部分。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构包括掩埋在所述半导体基板中形成的沟槽中的绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构具有L形状。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构的所述多个部分被布置为形成包括不存在所述第一阻挡结构的开口的多边形带形状。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构包括金属材料和气隙。
6.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构形成在所述半导体基板的P阱区域中。
7.根据权利要求6所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
N阱区域，该N阱区域形成为围绕所述P阱区域的外壁。
8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构包括多个部分，所述多个部分中的每一个部分形成在所述第一阻挡结构的多个部分中的相邻两个部分之间，并且所述第一阻挡结构的多个部分中的一个和所述第二阻挡结构的多个部分中的一个交替地彼此联接。
9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述逻辑电路形成在所述半导体基板的下部。
10.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，该半导体基板被配置为包括图像像素和至少一个逻辑电路区域，所述图像像素在检测到入射光时生成信号，所述至少一个逻辑电路区域处理从所述图像像素生成的所述信号；以及
噪声阻挡结构，该噪声阻挡结构设置在所述半导体基板处，
其中，所述噪声阻挡结构包括：
第一阻挡结构，该第一阻挡结构不连续地围绕所述至...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭镐映，金钟殷，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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