一种小型化格型晶体滤波器制造技术

本专利涉及晶体滤波技术领域，具体涉及一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。本专利的小型化格型晶体滤波器减小了体积，降低成本，降低了电路复杂度，提高了元器件的一致性，适合批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种小型化格型晶体滤波器
本专利涉及晶体滤波
，具体涉及一种小型化格型晶体滤波器。
技术介绍
晶体滤波器是电子设备中一个重要的元件，用于选取通带内的有用信号以及滤除通带外的无用信号，包括干扰、混频组合杂散分量等，以提高设备的选择性和抗干扰能力。按电路设计分类，晶体滤波器分为单片式晶体滤波器和分立式晶体滤波器，分立式晶体滤波器又分为格型晶体滤波器和梯型晶体滤波器等。格型晶体滤波器用变量器代替了电路中的晶体，相对于梯形晶体滤波器，只需要一半数目的晶体谐振器。目前，格型晶体滤波器的单节晶体滤波器电路包括两个晶体谐振器和一个变量器。其中，变量器实质上是在磁芯上采用双线并绕的两个电感；一个晶体谐振器包括晶片、晶片上下表面正对设置的一对电极、电极引出端和晶体谐振器外壳，晶体谐振器一般根据频率和带宽要求，设计电性能参数和外形尺寸相同的两个晶体谐振器，这两个晶体谐振器的区别主要在于一个谐振频率高和一个谐振频率低。如图2-3所示，目前每个晶体谐振器都是在一个晶片的上下表面中心位置制作一对位置相对的电极，然后通过电极轨道引出到晶片边缘，再通过特制的晶体谐振器支架将电极轨道边缘和支架的引出端通过粘接导电胶实现电性能的引出，支架上再配套一个外壳，采用电阻焊的封装工艺实现元件的全密封，制成一个独立的晶体谐振器。在实际应用中，为了提高格型晶体滤波器的阻带抑制和矩形系数，一般通过多个单节滤波器电路级联来实现，如两节晶体滤波器电路中包括四个晶体谐振器和两个变量器，这四个晶体谐振器中有两个性能完全相同的高频晶体谐振器和两个性能完全相同的低频晶体谐振器。专利技术专利“CN103560766A-晶体滤波器”中公开了一种晶体滤波器，包括差接桥型电路及电路基板，所述差接桥型电路设置于电路基板上，所述差接桥型电路包括若干个晶体谐振器，所述若干晶体谐振器中的一个或多个的非公共端引脚焊盘上各焊接有一高频耦合线，所述高频耦合线的另一端固定连接于电路基板上且与所述电路基板相绝缘。所述差接桥型电路包括第一至第四晶体谐振器、第一及第二变量器、第至第三电容以及电感，所述第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，所述第变量器的次级线圈的两端分别与第一及第三晶体谐振器的第.端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地，所述第一晶体谐振器的第二端直接与第三晶体谐振器的第二端相连，所述第一晶体谐振器的第二端还直接通过第二晶体谐振器之后与第二变量器的次级线圈的第一.端相连，所述第三晶体谐振器的第二端还直接通过第四晶体谐振器之后与第二变量器的次级线圈的第二端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地，所述第三晶体谐振器的第二端还直接通过电感接地，所述第三电容与电感并联连接，所述第二变量器的初级线圈的两端则作为晶体滤波器的输出端。现有技术中晶体滤波器电路里面的每一个晶体谐振器为独立的封装，即一个晶体谐振器包括一个晶片和晶片上的一对电极；两个晶体谐振器包括两个晶片和两对电极……，N个晶体谐振器包括N个晶片和N对电极。即每个晶体谐振器设置在一个晶片上并进行独立封装，该方式需要较多的晶片，增加了器件的体积；而且，晶体谐振器之间需要通过外围电路进行连接，增加了电路的复杂性；除此此外，电路设计上，需要若干个电性能参数相同的晶体谐振器，由于晶体谐振器支架结构的差异、晶片厚度分散性、晶片镀膜的分散性，导致晶体谐振器存在一定的电性能参数差异，如果晶体谐振器参数差异较大，就需要通过电路调试来弥补这种差异性，不适合批量生产。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利提供一种小型化格型晶体滤波器，采用将多个独立的、电性能参数相同的晶体谐振器设置在同一个晶片上，并直接在晶片上通过镀膜方式实现晶体谐振器之间的连接。一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。进一步的，第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器的电性能参数一致，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形。进一步的，高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离，当电极为圆形时，两个高频晶体谐振器之间的间隔距离一般为电极直径的3-5倍，当电极为矩形时，两个高频晶体谐振器之间的间隔距离为沿两个矩形电极几何中心连线长度的3-5倍；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离当电极为圆形时，两个低频晶体谐振器之间的间隔距离一般为圆形电极直径的3-5倍，当电极为矩形时，两个低频晶体谐振器之间的间隔距离为沿两个矩形电极几何中心连线长度的3-5倍；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应。进一步的，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面两端的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端。进一步的，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的每两个电极之间通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。进一步的，所述变量器至少包括第一变量器和第二变量器，所述第一变量器和第二变量器分别包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地。进一步的，所述电容至少包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容一端与第二变量器和高频晶体谐振器输出端形成的公共端相连，另一端接地。进一步的，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的公共端通过第三电容接地。一种小型化格型晶体滤波器，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。


2.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器的电性能参数一致，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形。


3.根据权利要求2所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应。


4.根据权利要求3所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面两端的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端。


5.根据权利要求3所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的每两个电极之间通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。


6.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述变量器至少包括第一变量器和第二变量器，所述第一变量器和第二变量器分别包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地。


7.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述电容至少包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭胜春，阳皓，李亚飞，陈冬梅，陈仲涛，董姝，唐平，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50