超宽带加脊正交模耦合器（OMT）制造技术

本发明专利技术提供了一种超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，该超宽带加脊正交模耦合器(OMT)内部设有模式分离腔体、合路腔体、以及匹配腔体，模式分离腔体用于将公共端口传输的波分离成TE01模和TE10模，合路腔体与模式分离腔体的两个侧口连接，用于将两个侧口传输的TE01模合并成一路，并从标准矩形口输出，匹配腔体与模式分离腔体的直通口连接，用于将直通口传输的TE10模的平缓过渡到标准矩形口输出；其中，超宽带加脊正交模耦合器(OMT)上设有四条脊。通过本发明专利技术提供的技术方案，能够解决现有技术无法满足5G测试的新需求的问题。

【技术实现步骤摘要】
超宽带加脊正交模耦合器(OMT)
本专利技术涉及宽带
，具体而言，涉及一种超宽带加脊正交模耦合器(OMT)。
技术介绍
作为第五代蜂窝移动通信系统其特点是速度快、延迟低、连接密集。相较于之前几代通信系统，5G通信系统使用的频率有明显的提高。2019年世界无限电通信大会研究周期内新设立了1.13议题，在6GHz以上寻找可用频段，研究的频率范围为24.25-86GHz。也即，针对5G测试产生了如下新需求：1、需要适合各个测试方法的系列天线；2、需要覆盖5G毫米波频段24～50GHz，22.5～45GHz；3、需要双线极化，高交叉极化45dB，高端口隔离40dB。同理，针对上述5G测试的新需求，现有产品存在如下瓶颈：1、没有针对5G毫米波测试频段；2、没有标准波导覆盖5G毫米波频段；3、现有双线极化具体为交叉极化30dB，端口隔离20dB；4、由于频率跨倍频程(21)和多倍频程(2n，n>1)，目前在该频率范围内实现模式分离，高隔离，高极化纯度较困难。针对上述技术问题，目标尚未得到解决方法。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，所述超宽带加脊正交模耦合器内部设有模式分离腔体、合路腔体、以及匹配腔体，所述模式分离腔体用于将公共端口传输的波分离成TE01模和TE10模，所述合路腔体与所述模式分离腔体的两个侧口(11)连接，用于将两个侧口(11)传输的TE01模合并成一路，并从标准矩形口输出，所述匹配腔体与所述模式分离腔体的直通口(12)连接，用于将所述直通口(12)传输的TE10模的平缓过渡到标准矩形口输出；/n其中，所述超宽带加脊正交模耦合器上设有四条脊，分别为第一脊(13)、第二脊(14)、第三脊(15)和第四脊(16)；所述第一脊(13)和所述第二脊(14)位于...

【技术特征摘要】
1.一种超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，所述超宽带加脊正交模耦合器内部设有模式分离腔体、合路腔体、以及匹配腔体，所述模式分离腔体用于将公共端口传输的波分离成TE01模和TE10模，所述合路腔体与所述模式分离腔体的两个侧口(11)连接，用于将两个侧口(11)传输的TE01模合并成一路，并从标准矩形口输出，所述匹配腔体与所述模式分离腔体的直通口(12)连接，用于将所述直通口(12)传输的TE10模的平缓过渡到标准矩形口输出；
其中，所述超宽带加脊正交模耦合器上设有四条脊，分别为第一脊(13)、第二脊(14)、第三脊(15)和第四脊(16)；所述第一脊(13)和所述第二脊(14)位于所述模式分离腔体上相对设置的第一侧面和第二侧面上，并延伸至所述合路腔体；所述第三脊(15)和所述第四脊(16)位于所述模式分离腔体上相对设置的第三侧面和第四侧面上。


2.根据权利要求1所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，所述第一脊(13)、所述第二脊(14)、所述第三脊(15)和所述第四脊(16)的第一端在贯通于所述超宽带加脊正交模耦合器的顶面。


3.根据权利要求2所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，所述第一脊(13)的第二端和所述第二脊(14)的第二端在所述合路腔体平缓过渡为平面状态。


4.根据权利要求3所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，在所述第一脊(13)的第二端和所述第二脊(14)的第二端在所述合路腔体平缓过渡为平面状态的情况下，所述第一脊(13)和所述第二脊(14)的脊高逐渐降低，直至过度为平面状态。


5.根据权利要求1所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，所述合路腔体包括合路腔(21)、第一转换腔(22)和第二转换腔(23)，所述第一转换腔(22)的第一端和所述第二转换腔(23)的第一端分别与所述模式分离腔体的所述两个侧口(11)连接，所述第一转换腔(22)的第二端和所述第二转换腔(23)的第二端均与所述合路腔(21)连接，其中，所述第一转换腔(22)和所述第二转换腔(23)用于将单脊波导转换至矩形波导；所述合路腔(21)用于将两路矩形波导合并成一路矩形波导。


6.根据权利要求5所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，在所述第一转换腔(22)的第一端至第二端的方向上，所述第一转换腔(22)从第一预设位置(a)起进行加宽处理，其中，所述加宽处理是对所述第一转换腔(22)设有脊的表面的宽度进行加宽；在所述第二转换腔(23)的第一端至第二端的方向上，所述第二转换腔(23)从第二预设位置(b)起进行加宽处理，其中，所述加宽处理是对所述第二转换腔(23)设有脊的表面的宽度进行加宽。


7.根据权利要求2所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，在所述第三脊(15)和所述第四脊(16)的第一端至第二端的方向上，所述第三脊(15)和所述第四脊(16)从第三预设位置(c)起其脊高逐渐增加，直至所述第三脊(15)和所述第四脊(16)之间的距离变为第一阈值，其中，所述第一阈值为所述模式分离腔体的直通口(12)的横截面宽度。


8.根据权利要求2所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，在所述第三脊(15)和所述第四脊(16)的第一端至第二端的方向上，所述第三脊(15)和所述第四脊(16)从第四预设位置(d)起其脊宽逐渐减小，直至所述第三脊(15)的脊宽变为第二阈值，以及所述第四脊(16)的脊宽变为第二阈值。


9.根据权利要求7或8所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，自所述第三脊(15)和所述第四脊(16)之间的距离变为第一阈值后，所述模式分离腔体开始形成两个侧口(11)。


10.根据权利要求9所述的超宽带加脊正交模耦合器(OMT)，其特征在于，自所述第三脊(15)和所述第四脊(16)之间的距离变为第一阈值后，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡南，谢文青，刘建睿，刘爽，吴永乐，王卫民，冉桔庆，
申请(专利权)人：北京星英联微波科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11