用于整流电路的肖特基二极管及整流电路制造技术

本发明专利技术涉及一种用于整流电路的肖特基二极管及整流电路，用于整流电路的肖特基二极管包括：衬底层、压应力Ge层、氮化硅层、第一金属电极、第二金属电极，其中，所述压应力Ge层、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层的第一表面，所述氮化硅层设置有电极孔，所述第一金属电极设置于所述压应力Ge层上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极设置于所述衬底层与所述第一表面相对设置的第二表面。本发明专利技术实施例通过对肖特基二极管的材料进行设计，采用应变Ge层作为肖特基接触的半导体层，使肖特基二极管具有更高的电子迁移率和能带优势。

【技术实现步骤摘要】
用于整流电路的肖特基二极管及整流电路
本专利技术属于无线传输
，具体涉及一种用于整流电路的肖特基二极管。
技术介绍
整流电路是无线传输接收端整流天线的一个重要组成部分，同时也是决定整流天线整流效率的最重要的一个因素。整流电路中最重要的组成部分为整流二极管，它也是决定整流效率的最重要因素。常用的整流二极管为肖特基二极管，肖特基二极管使采用金属和半导体接触形成的金属-半导体结原理制成，其功耗低、电流大，反向恢复时间极短，正向导通电压低，使其成为中、小功率的整流二极管。整肖特基二极管即整流天线内的肖特基二极管的性能，决定着无线传输系统中的最高转换效率的大小。现有技术中对肖特基二极管如何提高电子迁移率的研究稀少，且仅限制在通过对肖特基二极管的结构采用特殊设计以提高电子迁移率的研究上，该种方法通常制备的肖特基二极管器件结构复杂，元件封装结构、互连复杂。因此，如何提高肖特基二极管的电子迁移率且制备的肖特基二极管结构简单以提高整流电路的转换效率具有研究的必要。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于整流电路的肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底层(001)、Ge层(002)、压应力层(003)、第一金属电极(004)、第二金属电极(005)，其中，/n所述Ge层(002)、所述压应力层(003)依次层叠设置于所述衬底层(001)的第一表面，所述压应力层(003)设置有电极孔，所述第一金属电极(a1)设置于所述Ge层(002)上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极(a2)设置于所述衬底层(001)与所述第一表面相对设置的第二表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于整流电路的肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底层(001)、Ge层(002)、压应力层(003)、第一金属电极(004)、第二金属电极(005)，其中，
所述Ge层(002)、所述压应力层(003)依次层叠设置于所述衬底层(001)的第一表面，所述压应力层(003)设置有电极孔，所述第一金属电极(a1)设置于所述Ge层(002)上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极(a2)设置于所述衬底层(001)与所述第一表面相对设置的第二表面。


2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述Ge层(002)为N型Ge层，掺杂浓度为1.8×1014～2×1014cm-3。


3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述压应力层(003)为氮化硅层。


4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述氮化硅层为Si3N4膜。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李薇，李雯，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61