肖特基势垒二极管制造技术

本发明专利技术提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。

Schottky barrier diode

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】肖特基势垒二极管
本专利技术涉及肖特基势垒二极管，特别是涉及使用了氧化镓的肖特基势垒二极管。
技术介绍
肖特基势垒二极管是利用由金属和半导体的接合而产生的肖特基势垒的整流元件，与具有PN结的通常的二极管相比，具有顺向电压(forwardvoltage)低且开关速度快的特征。因此，肖特基势垒二极管有时用作开关元件的回流二极管等。在将肖特基势垒二极管用作开关元件的回流二极管等的情况下，由于需要确保充分的反向耐压，所以代替硅(Si)，有时使用带隙更大的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)等。其中，氧化镓由于带隙为4.8～4.9eV，非常大，且电击穿(electricalbreakdown)电场也大至约8MV/cm，所以使用了氧化镓的肖特基势垒二极管作为开关元件的回流二极管是非常有希望的。使用了氧化镓的肖特基势垒二极管的例子记载于专利文献1或非专利文献1。非专利文献1中记载的肖特基势垒二极管具有在俯视时与阳极电极重叠的位置设置多个沟槽，并通过绝缘膜覆盖沟槽的内壁的结构。通过该结构，在施加反向电压时，位于沟槽间的台面区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，/n具备：/n半导体基板，其由氧化镓构成；/n漂移层，其由设置于所述半导体基板上的氧化镓构成；/n阳极电极，其与所述漂移层进行肖特基接触；和/n阴极电极，其与所述半导体基板进行欧姆接触，/n所述漂移层具有设置于俯视时与所述阳极电极重叠的位置的多个沟槽，/n所述多个沟槽中位于端部的沟槽的宽度被选择性地扩大。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171026 JP 2017-2069781.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，
具备：
半导体基板，其由氧化镓构成；
漂移层，其由设置于所述半导体基板上的氧化镓构成；
阳极电极，其与所述漂移层进行肖特基接触；和
阴极电极，其与所述半导体基板进行欧姆接触，
所述漂移层具有设置于俯视时与所述阳极电极重叠的位置的多个沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：有马润，平林润，藤田实，佐佐木公平，
申请(专利权)人：TDK株式会社，株式会社田村制作所，诺维晶科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP