非易失性存储器件及其制造方法技术

本申请提供一种非易失性存储器件及其制造方法。在根据一个实施例的非易失性存储器件的制造方法中，在衬底上形成第一隧道氧化物层、氮供应层和密度低于第一隧道氧化物层的密度的第二隧道氧化物层。使在氮供应层中的氮扩散到第二隧道氧化物层中，以将第二隧道氧化物层的至少一部分转化为氮氧化物层。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月27日提交的申请号为10-2018-0171069的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体上涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。
技术介绍
随着设计规则的减少和集成度的提高，对可以保证结构稳定性和储存操作可靠性的存储器件的结构的研究一直在继续。近来，已经提出了一种晶体管型非易失性存储器件，其中应用了电荷隧穿层、电荷俘获层和电荷阻挡层的三层结构。通过编程操作和擦除操作，非易失性存储器件可以通过将电荷引入和储存到电荷俘获层中来储存信号信息。非易失性存储器件可以被实现为NAND型结构的器件，其中多个单元晶体管彼此连接以形成串形式。
技术实现思路
公开了根据本公开的一个方面的制造非易失性存储器件的方法。在该方法中，在衬底上顺序地形成第一隧道氧化物层、氮供应层和密度低于第一隧道氧化物层的密度的第二隧道氧化物层。使在所述氮供应层中的氮扩散到第二隧道氧化物层中，以将第二隧道氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：/n在衬底上顺序地形成第一隧道氧化物层、氮供应层和第二隧道氧化物层，所述第二隧道氧化物层的密度低于所述第一隧道氧化物层的密度；以及/n使在所述氮供应层中的氮扩散到所述第二隧道氧化物层中，以将所述第二隧道氧化物层的至少一部分转化为氮氧化物层。/n

【技术特征摘要】
20181227 KR 10-2018-01710691.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：
在衬底上顺序地形成第一隧道氧化物层、氮供应层和第二隧道氧化物层，所述第二隧道氧化物层的密度低于所述第一隧道氧化物层的密度；以及
使在所述氮供应层中的氮扩散到所述第二隧道氧化物层中，以将所述第二隧道氧化物层的至少一部分转化为氮氧化物层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述氮供应层的步骤包括：形成硅氮氧化物层，在所述硅氮氧化物层中氮的浓度高于氧的浓度。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一隧道氧化物层中的氮扩散速率低于所述第二隧道氧化物层中的氮扩散速率。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，使在所述氮供应层中的氮扩散到所述第二隧道氧化物层中的步骤包括：
通过利用如下温度条件的热处理使来自所述氮供应层的氮扩散到所述第二隧道氧化物层中，所述温度条件至少部分地基于在所述第一隧道氧化物层与所述第二隧道氧化物层之间的氮扩散速率的差异。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述热处理包括：利用选择性的温度条件来促进氮扩散到所述第二隧道氧化物层中同时抑制氮扩散到所述第一隧道氧化物层中。


6.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述第一隧道氧化物层包含硅氧化物，所述氮供应层包含硅氮氧化物，并且所述第二隧道氧化物层包含硅氧化物，以及
其中，所述第一隧道氧化物层的所述硅氧化物的密度比所述第二隧道氧化物层的所述硅氧化物的密度高。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，用于形成所述第一隧道氧化物层的温度高于用于形成所述第二隧道氧化物层的温度。


8.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成与所述第二隧道氧化物层接触的电荷俘获层，
其中，所述电荷俘获层包含氮化物或氮氧化物。


9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
形成与所述电荷俘获层接触的电荷阻挡层；以及
形成与所述电荷阻挡层接触的栅电极层。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二隧道氧化物层的至少一部分转化为所述氮氧化物层的步骤包括：
将所述第二隧道氧化物层的至少一部分转化为介电常数高于第一隧穿层的介电常数值和第三隧穿层的介电常数值的薄膜，其中，所述薄膜是由氮扩散形成的第二隧穿层的至少一部分，所述第一隧穿层是由于所述氮扩散而由所述第一隧道氧化物层形成的，所述第三隧穿层是由所述第二隧道氧化物层中的氮未扩散到的一部分形成的。


11.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成单元电极结构，所述单元电极结构包括交替层叠的层间绝缘层与栅电极层；
形成穿透在所述衬底上的所述单元电极结构的沟槽；
在所述沟槽的侧壁表面上形成电荷俘获层；

【专利技术属性】
技术研发人员：金保延，李世昊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR