半导体装置、存储器控制器与存储器访问方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置、存储器控制器与存储器访问方法。当多个写入数据被合并以生成用于保护存储在主存储器中的数据的代码时，写入数据在存储器控制器中被保护。第一代码生成单元基于存储在第一子存储器中的写入数据生成第一代码，并且将所生成的第一代码存储在第二子存储器中。子存储器控制器从第一子存储器读取要合并的写入数据，并通过使用存储在第二子存储器中的第一代码来验证所读取的写入数据是否包含错误。当所读取的写入数据不包含错误时，子存储器控制器将从第一子存储器读取的写入数据的有效数据合并，并将合并数据输出到第二代码生成单元。第二代码生成单元基于合并数据生成第二代码。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、存储器控制器与存储器访问方法相关申请的交叉引用于2018年12月25日提交的日本专利申请号2018-240740的公开内容(包括说明书、附图和摘要)整体通过引用并入本文。
本专利技术涉及半导体装置、存储器控制器和存储器访问方法，并且例如涉及用于在存储器中存储添加有用于检测数据的错误检测的代码的数据的半导体装置、存储器控制器和存储器访问方法。
技术介绍
作为用于保护写入存储器的数据的机制，使用用于检测和校正数据错误的错误校正代码(ECC)来进行代码错误校正是已知的。在代码错误校正中，例如，针对预定单位(诸如8字节)的数据，生成预定数据宽度(诸如1字节)的ECC。当在数据中发生预定比特数目的错误时，可以通过使用ECC校正该错误。这里，当要写入存储器的数据的比特数目小于ECC的生成单位时，ECC不能只通过写入存储器的数据生成。为了生成ECC，需要执行读取-修改-写入(RMW)，读取-修改-写入(RMW)用于读取存储在存储器中的数据、并将读取的数据与要写入存储器的数据合并。然而，当执行读取-修改-写入时，需要在将数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一代码生成单元，所述第一代码生成单元接收写入请求并且生成第一代码，所述第一代码用于检测与所述写入请求对应的写入数据的错误；/n子存储器，所述子存储器存储所述写入数据和所述第一代码；/n子存储器控制器，所述子存储器控制器确定合并数据是否具有预定数据宽度，所述合并数据是通过合并与要写入到主存储器中的相同地址中的多个写入数据中的每个写入数据对应的多个有效数据而获得的，当确定所述合并数据具有所述预定数据宽度时，所述子存储器控制器从所述子存储器读取要合并的所述多个写入数据和与所述多个写入数据中的每个写入数据对应的多个第一代码，所述子存储器控制器通过使用所述多个第一代码中的...

【技术特征摘要】
20181225 JP 2018-2407401.一种半导体装置，包括：
第一代码生成单元，所述第一代码生成单元接收写入请求并且生成第一代码，所述第一代码用于检测与所述写入请求对应的写入数据的错误；
子存储器，所述子存储器存储所述写入数据和所述第一代码；
子存储器控制器，所述子存储器控制器确定合并数据是否具有预定数据宽度，所述合并数据是通过合并与要写入到主存储器中的相同地址中的多个写入数据中的每个写入数据对应的多个有效数据而获得的，当确定所述合并数据具有所述预定数据宽度时，所述子存储器控制器从所述子存储器读取要合并的所述多个写入数据和与所述多个写入数据中的每个写入数据对应的多个第一代码，所述子存储器控制器通过使用所述多个第一代码中的对应的第一代码来确定所述多个写入数据中的每个写入数据是否包括错误，并且当确定所述多个写入数据不包括错误时输出所述合并数据；以及
第二代码生成单元，所述第二代码生成单元生成用于检测所述合并数据的错误的第二代码，并且输出所述合并数据和与所述合并数据对应的所述第二代码，以用于所述主存储器。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
主设备，所述主设备发出包括所述写入请求的存储器访问请求；以及
存储器控制器，所述存储器控制器根据所述存储器访问请求访问所述主存储器，
其中所述存储器控制器包括：
所述第一代码生成单元；
所述子存储器，所述子存储器包括存储所述写入数据的第一子存储器和存储所述第一代码的第二子存储器；
所述子存储器控制器；
所述第二代码生成单元；
写入数据验证单元，所述写入数据验证单元基于存储在所述第二子存储器中的所述第一代码，验证存储在所述第一子存储器中的所述写入数据是否包括错误；以及
命令发出单元，所述命令发出单元发出将添加有所述第二代码的所述合并数据写入到所述主存储器中的命令。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述第一代码被用于校正所述写入数据中的预定比特数目的错误，并且
其中当确定所述写入数据包括错误时，所述写入数据验证单元通过使用所述第一代码来校正所述写入数据。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中当所述写入数据不能被校正时，所述写入数据验证单元输出所述写入数据包括错误的信息。


5.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中当所述写入数据验证单元确定所述写入数据包括错误时，所述子存储器控制器执行错误处理。


6.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述第一子存储器将所述写入数据存储在针对每个写入请求的单独的条目中，并且
其中当要写入到所述主存储器中的所述相同地址中的所述多个写入数据被存储在所述第一子存储器中时，所述子存储器控制器确定是否能够通过合并所述多个写入数据中的有效数据来获得具有所述预定数据宽度的数据。


7.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述写入数据包括多个块，
其中根据所述写入请求，向每个块设置指示有效数据或无效数据的信息，
其中针对被设置有指示有效数据的所述信息的所述块，所述第一代码生成单元生成所述第一代码。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，
其中所述第一子存储器将所述写入数据存储在所述第一子存储器中的针对每个写入目的地地址的单独的条目中，并且
其中当接收到所述写入请求时，
所述子存储器控制器检查是否存在存储与接收的所述写入请求的写入目的地地址相同的写入目的地地址的写入数据的条目，并且
当存在所述条目时，所述子存储器控制器用接收的所述写入请求的所述写入数据中的所述有效数据覆写与所述有效数据对应的块的数据。


9.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中当满足预定条件时，所述子存储器控制器从所述主存储器读取与所述写入请求对应的所述写入数据的写入目的地地址的数据，并且将读取的所述数据和与所述写入请求对应的所述写入数据中的所述有效数据合并，并且
其中所述第二代码生成单元生成所述第二代码。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，进一步包括计时器，
其中当所述计时器超时的时候，所述子存储器控制器确定所述预定条件被满足。


11.根据权利要求9所述的半导体装置，进一步包括请求监测单元，所述请求监测单元监测由所述主设备发出的存储器访问请求，
其中所述子存储器控制器根据所述主设备的存储器访问请求的发出状态来确定是否满足所述预定条件。


12.根据权利要求9所述的半导体装置，
其中当接收到所述写入请求、并且具有与接收的所述写入请求的写入目的地地址相同的写入目的地地址的写入数据未被存储在所述第一子存储器中时，所述子存储器控制器确定所述预定条件被满足。


13.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述存储器控制器进一步包括命令历史存储单元，所述命令历史存储单元存储由所述命令发出单元发出的命令的历史，并且
其中所述存储器控制器基于存储在所述命令历史存储单元中的历史来确定要被写入到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中翔，本田信彦，入田隆宏，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP