阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的薄膜晶体管和像素电极，以及位于薄膜晶体管和像素电极之间的至少两层色阻层，且任意相邻的两层色阻层之间设置有介质层；其中，所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。本发明专利技术实施例能够实现高色域度的显示效果；同时，本发明专利技术实施例的阵列基板中设置有至少两层色阻层，能够在设置过孔时，对每一层色阻层进行分别开孔，以降低过孔的设置难度，从而有利于提高产品良率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，人们对显示屏的显示效果越来越高，例如使显示屏弯曲形成曲面屏，并将该曲面屏应用于车载显示装置中时，能够增大车载显示装置的显示视角，以减小不同可视角度下人眼所感知的显示差异。由于液晶显示面板具有低功耗、无辐射、显示画面柔和等特点，而被广泛应用于各种显示装置中。但是，随着人们对液晶显示面板所显示画面的色彩丰富度要求的提高，使得如何提高液晶显示面板的显示色域度成为当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以降低打孔难度，提高产品良率和显示效果。第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：位于所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管至少包括第一电极；位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的像素电极；位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的至少两层色阻层，且任意相邻的两层所述色阻层之间设置有介质层；其中，所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。第二方面，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括：上述阵列基板；与所述阵列基板相对设置的对置基板；以及位于所述对置基板和所述阵列基板之间的液晶层和支撑柱。第三方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括：上述显示面板。本专利技术实施例提供的一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板中衬底基板的一侧设置有薄膜晶体管、像素电极以及位于薄膜晶体管和像素电极之间的至少两层色阻层；一方面，衬底基板一侧的薄膜晶体管与像素电极之间设置有至少两层色阻层，该至少两层色阻层具有较厚的总厚度，以满足高色域度的显示要求，从而提高显示面板的显示效果；另一方面，将满足高色域度要求的色阻层分为至少两层色阻层，相较于同一色域要求的一层色阻层，该至少两层色阻的每一层色阻层都具有较薄厚度，且相邻的两层色阻层之间设置有介质层，以在设置贯穿像素电极和薄膜晶体管的第一电极所在膜层之间的膜层的过孔时，能够分别对各色阻层进行开孔，且通过设置在相邻两层色阻层之间的介质层保护相应的色阻层中色阻图案不被损坏，从而能够降低过孔的设置难度，改善孔内残留或损坏色阻层中色阻图案的现象，有利于提高产品良率，进而提高显示效果。附图说明图1为现有技术的一种阵列基板的结构示意图；图2为现有技术的阵列基板的俯视结构示意图；图3为现有技术的阵列基板的孔内结构显微成像示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图17是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图18是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图19是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图20是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图21是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图22是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图23是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图24是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；图25是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；图26是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；图27是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；图28是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；图29是与图28对应的一种阵列基板的膜层结构示意图；图30是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图31是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。液晶显示屏通常包括背光模组和液晶显示面板，该背光模组能够为液晶显示面板提供光源；液晶显示面板包括彩膜基板和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板，以及位于彩膜基板与TFT阵列基板之间的液晶层；其中，液晶显示面板的TFT阵列基板中设置有薄膜晶体管、像素电极和公共电极，通过控制相应的薄膜晶体管导通，以使像素电压信号能够通过导通的薄膜晶体管传输至相应的像素电极；此时，该像素电极能够与公共电极形成电场，该电场能够驱动液晶层中相应位置处的液晶分子发生偏转，使得背光模组提供的光源透过相应位置处的液晶分子到达彩膜基板；而彩膜基板中设置有色阻层和遮光层，遮光层能够对不需要透光的位置进行遮光，以防止不必要的漏光；色阻层包括不同颜色的色阻图案，使得透过相应位置处的液晶分子的光源能够通过相应颜色的色阻图案后，显示出色彩丰富的画面。当前，为增大液晶显示面板的可视角度，通常会弯曲液晶显示面板，以形成曲面状的液晶显示面板，由于曲面状的液晶显示面板的遮光层和色阻层设置于彩膜基板，而阵列基板中设置有相应的薄膜晶体管、像素电极以及金属走线等，且在弯曲液晶显示面板以形成曲面状的液晶显示面板时，液晶显示面板的阵列基板和彩膜基板均会发生形变，使得彩膜基板中遮光层的遮光位置与阵列基板中需遮光的位置对位不准确，从而在背光模组提供的光源透光液晶显示面板，使得液晶显示面板进行显示发光时，会产生漏光，影响显示面板的显示效果。图1为现有技术的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，为解决对位不准确的问题，阵列基板001的衬底基板010一侧设置有薄膜晶体管阵列020、像素电极层030、遮光层080以及设置于薄膜晶体管阵列020与像素电极030之间依次设置的色阻层040、平坦化层050、公共电极060，公共电极060与像素电极030之间还设置有绝缘层070；如此，将遮光层080和色阻层040均设置于阵列基板001中，从在弯曲阵列基板001时，不会因挤压变形，而使遮光层080与阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管至少包括第一电极；/n位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的像素电极；/n位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的至少两层色阻层，且任意相邻的两层所述色阻层之间设置有介质层；/n其中，所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管至少包括第一电极；
位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的像素电极；
位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的至少两层色阻层，且任意相邻的两层所述色阻层之间设置有介质层；
其中，所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：平坦化层；
所述平坦化层位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间；
其中，所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间；或者，所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间；或者，所述至少两层色阻层包括至少一层第一色阻层和至少一层第二色阻层；所述至少一层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间，所述至少一层第二色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一搭接导电层；所述第一搭接导电层包括第一搭接结构；
所述第一搭接导电层位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧；
所述过孔包括第一过孔和第二过孔；所述像素电极通过所述第一过孔与所述第一搭接结构电连接，所述第一搭接结构通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：至少一层第二搭接导电层；所述第二搭接导电层包括第二搭接结构；
所述第二搭接导电层位于相邻的两层所述色阻层之间，且位于不同层的所述第二搭接结构一一对应电连接；
其中，所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间，所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔；所述像素电极通过所述第一子过孔与所述第二搭接结构电连接；所述第二搭接结构通过所述第二子过孔与所述第一搭接结构电连接；
或者，所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间，所述第二过孔包括第三子过孔和第四子过孔；所述第一搭接结构通过所述第三子过孔与所述第二搭接结构电连接，所述第二搭接结构通过所述第四子过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。


5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：至少一层第三搭接导电层；所述第三搭接导电层包括第三搭接结构；
所述至少两层色阻层包括至少两层第一色阻层和至少一层第二色阻层，所述至少两层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间，所述至少一层第二色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间；
所述第三搭接导电层位于相邻的两层所述第一色阻层之间，且位于不同层的所述第三搭接结构一一对应电连接；所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔；所述像素电极通过所述第一子过孔与所述第三搭接结构电连接；所述第三搭接结构通过所述第二子过孔与所述第一搭接结构电连接。


6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：至少一层第四搭接导电层；所述第四搭接导电层包括第四搭接结构；
所述至少两层色阻层包括至少一层第一色阻层和至少两层第二色阻层，所述至少一层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间，所述至少两层第二色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间；
所述第四搭接导电层位于相邻的两层所述第二色阻层之间，且位于不同层的第四搭接结构一一对应电连接；所述第二过孔包括第三子过孔和第四子过孔；所述第一搭接结构通过所述第三子过孔与所述第四搭接结构电连接；所述第四搭接结构通过所述第四子过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。


7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：至少一层第三搭接导电层和至少一层第四搭接导电层；所述第三搭接导电层包括第三搭接结构，所述第四搭接导电层包括第四搭接结构；
所述至少两层色阻层包括至少两层第一色阻层和至少两层第二色阻层，所述至少两层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间，所述至少两层第二色阻层位于所述平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：高娇，邱英彰，林丽敏，刘晓莉，滕用进，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35