液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种液晶显示装置，其改变内部公共电极的连接结构以增强无边框结构中的静电特性，由此增强可靠性和良率。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月31日提交的大韩民国专利申请No.10-2018-0174154的权益，在此通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文中完整阐述一般。
本专利技术涉及显示装置，并且更具体而言，涉及具有薄膜晶体管基板的无边框结构的液晶显示装置，该薄膜晶体管基板增强了静电放电和透射比两者。
技术介绍
随着信息时代的发展，对显示装置的需求以各种形式增长。为了符合这样的需求，已经对各种显示装置开展了研究，所述显示装置例如是液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)，并且这些中的一些已经被应用于各种装置中。近来，已经开发了液晶显示装置(LCD)和有机发光显示装置(OLED)以满足用户需求。这样的显示装置包括薄膜晶体管阵列基板，该基板具有薄膜晶体管作为每个像素区中的开关器件。在薄膜晶体管阵列基板上，薄膜晶体管形成于每条栅极线和数据线之间的交点处。在薄膜晶体管阵列基板的边缘处提供焊盘部分，焊盘部分将栅极线和数据线连接到印刷电路板以用于传输电信号。常规显示装置具有被机构围绕的显示表面的边缘，并且其内部部件被遮挡而无法看到。所述机构是通过对与显示表面不同的材料(例如，塑料)进行模制以从显示表面突出而形成的，并且形成有足以封闭显示表面的边缘处的金属或焊盘部分的宽度，并且因而，所述机构是使有效显示面积减小的原因之一。此外，所述机构具有厚度和宽度，以防止暴露连接到焊盘部分的印刷电路板的侧表面，并且因此，增大了显示装置的整个厚度。这阻止显示装置变得更纤薄。因此，存在对使屏幕的有效面积最大化以省略用于使装置纤薄的机构并应用无边框结构的需求。不过，存在一个问题，即，无边框结构易受静电影响，因为从显示面板的边缘省去了机构，并且难以配置静电放电装置。
技术实现思路
实施例涉及一种液晶显示装置，其包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板、相对的透明基板、液晶层、多个第一公共电极、多个像素电极以及静电放电电极。薄膜晶体管(TFT)阵列基板具有有源区域和非有源区域，有源区域具有像素阵列，非有源区域处于TFT阵列基板的一侧。TFT阵列基板包括薄膜晶体管。相对的透明基板与TFT阵列基板部分交叠。液晶层在TFT阵列基板和相对的透明基板之间。第一公共电极在TFT阵列基板的面向液晶层的表面上。第一公共电极中的每个具有跨越一行像素延伸的板形。所述像素中的每者的像素电极在液晶层的对应区域中施加电场。像素电极在第一公共电极上。静电放电电极在TFT阵列基板的表面上、在非有源区域中并耦合到多个第一公共电极。在一个或多个实施例中，液晶显示装置包括处于第一公共电极和液晶层之间的绝缘膜、以及绝缘膜上的像素电极。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括处于第一公共电极和液晶层之间的绝缘膜上的第二公共电极，其为被配置为连接第一公共电极和静电放电电极的电极。在一个或多个实施例中，第二公共电极与公共线和数据线中的至少一者交叠。在一个或多个实施例中，第二公共电极与TFT阵列基板的有源区域上的数据线交叠。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括TFT阵列基板的有源区域上的公共线。公共线被放置在第一公共电极和第二公共电极之间。第一公共电极中的每者连接到与公共线交叠的第二公共电极。在一个或多个实施例中，公共线与数据线在同一层上。在一个或多个实施例中，第二公共电极与多个像素电极在同一层上。在一个或多个实施例中，静电放电电极与第一公共电极在同一层中。在一个或多个实施例中，静电放电电极与TFT阵列基板的有源区域中的栅极线在同一层上。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括TFT阵列基板的相对表面上的偏振板。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括TFT阵列基板的相对表面上的黑色油墨。黑色油墨具有的厚度比偏振板更薄。黑色油墨隐藏非有源区域。在一个或多个实施例中，第一公共电极和第二公共电极是透明的。实施例还涉及一种液晶显示装置，其包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板、多个第一公共电极、多个像素电极、第二公共电极以及多个公共线。TFT阵列基板具有有源区域和非有源区域，有源区域具有像素阵列，非有源区域处于TFT阵列基板的一侧。TFT阵列基板包括薄膜晶体管。第一公共电极在TFT阵列基板的表面上。第一公共电极中的每者跨越一行像素延伸。所述像素中的每者中的像素电极施加电场。像素电极在第一公共电极上。第二公共电极与像素电极在同一层上。公共线在第二公共电极和第一公共电极之间。公共线与第二公共电极交叠并耦合到第一公共电极和第二公共电极中的一个或多个。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括处于TFT阵列基板和公共线之间的半导体层。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括处于半导体层上且与公共线在同一层中的数据线。在一个或多个实施例中，公共线和数据线交替。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括黑矩阵，所述黑矩阵与第二公共电极交叠并具有等于或小于第二公共电极的宽度的宽度。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括处于TFT阵列基板的表面上并耦合到多个第一公共电极的静电放电电极。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括处于公共线和第二公共电极之间的绝缘层。在一个或多个实施例中，液晶显示装置还包括处于TFT阵列基板的相对表面上的偏振板。附图说明附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本申请并构成其部分，附图示出了本专利技术的实施例，并与说明书一起用以解释本专利技术的原理。在附图中：图1是示出了根据本专利技术的液晶显示装置的平面图；图2是第一基板(薄膜晶体管阵列基板)设置在上侧时的根据本专利技术的液晶显示装置的截面图；图3是示出了根据本专利技术的处于液晶显示装置的有源区域和外部区域之间的边界部分的平面图；图4是根据本专利技术的液晶显示装置的平面图；图5是图4的区域A的放大平面图；图6是沿图3的I-I’截取的截面图；图7是沿图3的Ⅱ-Ⅱ'截取的截面图；图8是沿图5的Ⅲ-Ⅲ'截取的截面图；以及图9是沿图5的Ⅳ-Ⅳ'截取的截面图。具体实施方式现在将详细地参考本专利技术的优选实施例，其示例在附图中示出。只要有可能，就将在所有附图中使用相同的附图标记指示相同或相似部分。在本专利技术的以下描述中，在可能使本专利技术的主题不清楚时，将省略对本文中并入的已知功能和配置的详细描述。此外，具体实施方式中使用的部件的术语是考虑到容易描述说明书而选择的，并可以与实际产品的部件的术语不同。附图中为了描述本专利技术的各种实施例以描述本专利技术的实施例而公开的形状、尺寸、比例、角度、数字等仅是示例性的，并且本专利技术不限于此。通篇说明书中类似附图标记指示类似元件。在本专利技术的以下描述中，在确定本专利技术的主题可能不必要地被模糊时，将省略对已知的相关技术的详细描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，包括：/n薄膜晶体管(TFT)阵列基板，具有有源区域和非有源区域，所述有源区域具有像素的阵列，所述非有源区域处于所述TFT阵列基板的一侧，所述TFT阵列基板包括薄膜晶体管；/n相对的透明基板，与所述TFT阵列基板部分交叠；/n液晶层，处于所述TFT阵列基板和所述相对的透明基板之间；/n多个第一公共电极，处于所述TFT阵列基板的面向所述液晶层的表面上，所述第一公共电极中的每者具有延伸跨过一行像素的板形；/n多个像素电极，处于所述像素中的每者中，以在所述液晶层的对应区域中施加电场，所述多个像素电极处于所述第一公共电极上；以及/n静电放电电极，在所述非有源区域中处于所述TFT阵列基板的所述表面上并且耦合到所述多个第一公共电极。/n

【技术特征摘要】
20181231 KR 10-2018-01741541.一种液晶显示装置，包括：
薄膜晶体管(TFT)阵列基板，具有有源区域和非有源区域，所述有源区域具有像素的阵列，所述非有源区域处于所述TFT阵列基板的一侧，所述TFT阵列基板包括薄膜晶体管；
相对的透明基板，与所述TFT阵列基板部分交叠；
液晶层，处于所述TFT阵列基板和所述相对的透明基板之间；
多个第一公共电极，处于所述TFT阵列基板的面向所述液晶层的表面上，所述第一公共电极中的每者具有延伸跨过一行像素的板形；
多个像素电极，处于所述像素中的每者中，以在所述液晶层的对应区域中施加电场，所述多个像素电极处于所述第一公共电极上；以及
静电放电电极，在所述非有源区域中处于所述TFT阵列基板的所述表面上并且耦合到所述多个第一公共电极。


2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：
所述第一公共电极和所述液晶层之间的绝缘膜；以及
所述绝缘膜上的像素电极。


3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，还包括处于所述第一公共电极和所述液晶层之间的绝缘膜上的第二公共电极，所述第二公共电极是被配置为连接所述第一公共电极和所述静电放电电极的电极。


4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第二公共电极与公共线和数据线中的至少一者交叠。


5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第二公共电极在所述TFT阵列基板的所述有源区域上与数据线交叠。


6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括处于所述TFT阵列基板的所述有源区域上的公共线，所述公共线被放置于所述第一公共电极和所述第二公共电极之间，所述第一公共电极中的每者连接到与公共线交叠的所述第二公共电极。


7.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中，所述公共线与所述数据线在同一层上。


8.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第二公共电极与所述多个像素电极在同一层上。


9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述静电电极与所述第一公共电极在同一层中。


10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述静电放电电极与所述TFT阵列基板的所述有源区域中的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：金振三，李宪宗，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR