一种化学气相沉积的样品放置装置及管式炉制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积的样品放置装置及管式炉，属于材料制备技术领域。所述化学气相沉积的样品放置装置包括：第一筒、第二筒及第三筒；所述第一筒的形状为圆柱状，所述第二筒及第三筒的形状为锥台状，所述第一筒、第二筒及第三筒的同轴；所述第一筒的第一端与所述第二筒的第一端连通，所述第一筒的第二端与所述第三筒的第一端连通；所述第二筒的第二端的直径小于所述第二筒第一端的直径；所述第三筒的第二端的直径小于所述第三筒第一端的直径。本发明专利技术学气相沉积的样品放置装置及管式炉可以对材料的生长过程进行调制，研究材料的生长机理，制备大尺寸单晶二维材料。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积的样品放置装置及管式炉
本专利技术涉及材料制备
，特别涉及一种化学气相沉积的样品放置装置及管式炉。
技术介绍
化学气相沉积是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，高温下在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。化学气相沉积可制备各种无机材料，比如金属、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物和化合物半导体材料等的薄膜。自从20世纪70年代报道利用化学气相沉积法制备石墨烯这种二维材料以来，尤其是2009年初，麻省理工学院的J.Kong研究组与韩国成均馆大学的B.H.Hong研究组利用沉淀有多晶Ni膜的硅片作为基底制备出大面积少层石墨烯，并将石墨烯成功地从基底上完整地转移下来，化学气相沉积逐渐发展成为二维材料制备技术中，最稳定、经济有效，并且可以制备大尺寸二维材料的一种技术方法，是二维材料走向应用的最有希望的制备技术。化学气相沉积制备二维材料的生长机理是反应气体向基底表面扩散，吸附于基地表面，进而发生化学反应，在基底表面生成形核，并且不断生长扩大，最终留下不挥发的固相反应产物—薄膜；通常情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积的样品放置装置，其特征在于，包括：第一筒、第二筒及第三筒；/n所述第一筒的形状为圆柱状，所述第二筒及第三筒的形状为锥台状，所述第一筒、第二筒及第三筒的同轴；/n所述第一筒的第一端与所述第二筒的第一端连通，所述第一筒的第二端与所述第三筒的第一端连通；/n所述第二筒的第二端的直径小于所述第二筒第一端的直径；/n所述第三筒的第二端的直径小于所述第三筒第一端的直径。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积的样品放置装置，其特征在于，包括：第一筒、第二筒及第三筒；
所述第一筒的形状为圆柱状，所述第二筒及第三筒的形状为锥台状，所述第一筒、第二筒及第三筒的同轴；
所述第一筒的第一端与所述第二筒的第一端连通，所述第一筒的第二端与所述第三筒的第一端连通；
所述第二筒的第二端的直径小于所述第二筒第一端的直径；
所述第三筒的第二端的直径小于所述第三筒第一端的直径。


2.根据权利要求1所述的化学气相沉积的样品放置装置，其特征在于：
所述第一筒的直径为0.4-250cm。


3.根据权利要求1所述的化学气相沉积的样品放置装置，其特征在于：
所述第二筒的第一端的直径0.4-250cm；
所述第三筒的第一端的直径0.4-250cm。


4.根据权利要求1所述的化学气相沉积的样品放置装置，其特征在于：
所述第二筒的第二端的直径0.3-200cm；
所述第三筒的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王延伟，卢维尔，闫美菊，赵丽莉，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11