【技术实现步骤摘要】
一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法
本专利技术涉及集成光学芯片制造及微纳米加工领域，特别涉及一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法。
技术介绍
光波导是构建集成光学功能器件和芯片的基本单元，其传输损耗主要取决于光波导侧壁和表面粗糙产生的散射损耗，而光波导表面和侧壁的粗糙度又取决于光波导的刻蚀工艺，尤其对于薄膜铌酸锂晶体材料，其加工工艺难度比氧化硅、硅和聚合物等材料大，薄膜铌酸锂光波导的刻蚀目前主要采用氩离子干法刻蚀，其原理是采用氩离子对薄膜铌酸锂材料的表面进行轰击，经干法刻蚀后的光波导侧壁和表面粗糙度通常较大，且该刻蚀过程中产生的刻蚀生成物会不断聚集在光波导的侧壁和表面，进一步恶化光波导的表面粗糙度，导致较高的光波导传输损耗。目前降低薄膜铌酸锂光波导表面粗糙度的方法主要包括两种：一是采用感应耦合等离子体干法刻蚀，通过不断优化射频功率和刻蚀气压减少刻蚀生成物的沉积，但这种方法对刻蚀设备的性能要求很高，价格昂贵，且对刻蚀表面粗糙度的降低效果有限；二是采用抛光技术将光波导的表面进行光滑处理，抛光技术在微纳加...
【技术保护点】
1.一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置，其特征在于，所述装置包括：/n抛光机构，包括操作台以及设于操作台上的磁力搅拌台，所述磁力搅拌台上放置有用于抛光的抛光容器；/n夹持机构，包括设于操作台上的支撑架和用于夹持待抛光薄膜铌酸锂光波导芯片的芯片夹具；/n所述芯片夹具倒置安装在支撑架的下方，并浸入抛光容器中的抛光溶液。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置，其特征在于，所述装置包括：
抛光机构，包括操作台以及设于操作台上的磁力搅拌台，所述磁力搅拌台上放置有用于抛光的抛光容器；
夹持机构，包括设于操作台上的支撑架和用于夹持待抛光薄膜铌酸锂光波导芯片的芯片夹具；
所述芯片夹具倒置安装在支撑架的下方，并浸入抛光容器中的抛光溶液。
2.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置，其特征在于：所述支撑架包括垂直固定杆、水平悬臂梁以及垂直支架，所述垂直固定杆通过第一连接件与水平悬臂梁活动连接，所述水平悬臂梁通过第二连接件与垂直支架活动连接，所述垂直支架一端向下延伸至抛光容器中且其端部与芯片夹具的夹具底座连接。
3.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置，其特征在于：所述水平悬臂梁通过第一连接件在垂直固定杆的长度范围内移动，垂直支架通过第二连接件在水平悬臂梁的长度范围内移动。
4.根据权利要求1所述的薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置，其特征在于：所述抛光容器中放置有磁转子。
5.一种根据权利要求1-4任一项所述的薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一：在抛光容器中加入粗抛光溶液，然后将待抛光薄膜铌酸锂光波导芯片安装在芯片夹具上，并浸入粗抛光溶液，之后启动磁力搅拌机开始粗抛光；
步骤二：将步骤一中粗抛光后的薄膜铌酸锂光波导芯片进行清洗；
步骤三：将抛光容器中的粗抛光溶液倒出，然后加入细抛光溶液，将清洗后的薄膜铌酸锂光波导芯片浸入细抛光溶液中，启动磁力搅拌机开始细抛光，最后得到光波导侧壁和表面光滑的薄膜铌酸锂光波导芯片。
6.根据权利要求5所述的薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法，其特征在于：所述步骤一中启动磁力搅拌台，驱动磁转子高速转动以搅拌粗抛光溶液与待抛光薄膜铌酸锂芯片表面发生流动接触，粗抛光溶液中的粗抛光颗粒与待抛光薄膜铌酸锂芯片表面发生半接触...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐杰，钱广，孔月婵，陈堂胜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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