一种高硅铝电子封装材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子封装材料技术领域，尤其涉及一种高硅铝电子封装材料及其制备方法。本发明专利技术提供的制备方法，包括以下步骤：将Al粉末和Si粉末混合，在真空条件下，进行放电等离子烧结，得到高硅铝电子封装材料。本发明专利技术提供的制备方法操作简单，能耗低，通过放电等离子烧结，无需进行预压制，即可获得致密度高、热导率高和热膨胀系数低的高硅铝电子封装材料，适于工业化生产。实施例结果表明，本发明专利技术制得的高硅铝电子封装材料的相对密度≥98.5％，布式硬度为158～226HB，热膨胀系数为7.278～9.634×10

【技术实现步骤摘要】
一种高硅铝电子封装材料及其制备方法
本专利技术属于电子封装材料
，尤其涉及一种高硅铝电子封装材料及其制备方法。
技术介绍
随着现代电子信息技术的迅速发展，电子系统及设备向大规模集成化、小型化、高效率和高可靠性方向发展。电子封装正在与电子设计及制造一起，共同推动着信息化社会的发展。由于电子器件和电子装置中元器件复杂性和密集性的日益提高，因此，迫切需要研究和开发性能优异、可满足各种需求的新型电子封装材料。中国专利CN109487130公开了一种用于电子封装的铝硅复合材料及其制备方法，其工艺是将纯铝粉和纯硅粉按比例进行混料，获得铝硅质量比为50～30:50～70的混合料；再将混合料装入铝包套中，置于预热后的模具于800MPa～1100MPa压制，真空度≤10-1Pa，以1～5℃/min升温至750～1000℃，保温1～4h。制得的用于电子封装的铝硅复合材料，其致密度≥95％、热导率为100～128W/m·K，热膨胀系数9.3～12.5×10-6℃-1。采用真空条件下进行热压烧结可以降低孔隙率，提高组织致密度。但是上述方法需要进行预压制，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高硅铝电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将Al粉末和Si粉末混合，在真空条件下，进行放电等离子烧结，得到高硅铝电子封装材料；/n所述放电等离子烧结的升温过程包括：以第一升温速率升温至中间温度、再以第二升温速率由所述中间温度升温至烧结温度；/n所述第一升温速率为30～100℃/min，所述中间温度为420～620℃；所述第二升温速率为5～30℃/min，所述烧结温度为450～650℃，所述保温的时间为0.5～2h；/n所述升温和保温的过程中，压力为10～60MPa/min。/n

【技术特征摘要】
1.一种高硅铝电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将Al粉末和Si粉末混合，在真空条件下，进行放电等离子烧结，得到高硅铝电子封装材料；
所述放电等离子烧结的升温过程包括：以第一升温速率升温至中间温度、再以第二升温速率由所述中间温度升温至烧结温度；
所述第一升温速率为30～100℃/min，所述中间温度为420～620℃；所述第二升温速率为5～30℃/min，所述烧结温度为450～650℃，所述保温的时间为0.5～2h；
所述升温和保温的过程中，压力为10～60MPa/min。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Al粉末和Si粉末的质量比为(5～8)：(5～2)。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述Al粉末的中位粒径为10～20μm。


4.根据权利要求1或2所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李润霞，孔昭阳，冀恩龙，于宝义，郑黎，姜雄华，李文芳，
申请(专利权)人：东莞理工学院，
类型：发明
国别省市：广东;44