一种低介电常数导热硅胶片及其制备方法技术

技术编号:24791943 阅读:157 留言:0更新日期:2020-07-07 20:05
本发明专利技术公开了一种低介电常数导热硅胶片,包括低介电常数导热粉体、乙烯基硅油、含氢硅油、硅橡胶补强剂、铂金催化剂、抑制剂和硅烷偶联剂;其中,所述低介电常数导热粉体占总质量的40%‑90%,乙烯基硅油占总质量的4%‑59%,含氢硅油占硅油总质量的0.4%‑1%,硅橡胶补强剂占总质量的1%‑4%,铂金催化剂占硅油总质量的0.2%‑1%,抑制剂占硅油总质量的0.01%‑0.03%,硅烷偶联剂占导热粉体总质量的0.1%‑0.6%;所述低介电常数导热粉体的介电常数≤4。本发明专利技术还公开了所述低介电常数导热硅胶片的制备方法。本发明专利技术的低介电常数导热硅胶片,不但具有普通导热片导热系数高、硬度低、绝缘强度高的特点,可用于热界面填充,还具有普通导热片所不具有的对信号的低干扰性。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电常数导热硅胶片及其制备方法
本专利技术涉及导热界面材料
,具体涉及一种低介电常数导热硅胶片及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品的小型化及性能的不断提高,其电子元器件也越来越密集,信号的发射与收取、屏蔽与增强也显得尤为重要。为解决电子产品的散热问题,通常会采用导热硅胶片、散热膏、导热胶等等材料来进行界面填充,以便热量的及时传导,这些热界面材料中通常会采用氧化铝、氮化铝、氧化镁、氧化锌等等,甚至会用到碳纤维、石墨烯,以及这些材料搭配氮化硼、氢氧化铝、二氧化硅进行填充,都起到了一定的散热效果,提高了电子产品的寿命,但这些材料除氮化硼、氢氧化铝、二氧化硅外介电常数都很高,在信号传输时会早成信号干扰,为了解决这个问题,又要在导热片之外采用电磁屏蔽、电磁吸收的材料以及一些同时兼具导热和电磁波吸收的材料来对信号进行处理,为电子产品的设计带来不便。目前,行业内对于导热片对信号的干扰并没有进行过深入的研究。现有技术中,中国专利文献CN103980664B公开了一种低介电常数和低损耗的聚合物电介质及其制备方法,该方法氮化硼本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热硅胶片的配方包括低介电常数导热粉体、乙烯基硅油、含氢硅油、硅橡胶补强剂、铂金催化剂、抑制剂和硅烷偶联剂;其中,所述低介电常数导热粉体占总质量的40%-90%,乙烯基硅油占总质量的4%-59%,含氢硅油占硅油总质量的0.4%-1%,硅橡胶补强剂占总质量的1%-4%,铂金催化剂占硅油总质量的0.2%-1%,抑制剂占硅油总质量的0.01%-0.03%,硅烷偶联剂占导热粉体总质量的0.1%-0.6%;所述低介电常数导热粉体的介电常数≤4。/n

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热硅胶片的配方包括低介电常数导热粉体、乙烯基硅油、含氢硅油、硅橡胶补强剂、铂金催化剂、抑制剂和硅烷偶联剂;其中,所述低介电常数导热粉体占总质量的40%-90%,乙烯基硅油占总质量的4%-59%,含氢硅油占硅油总质量的0.4%-1%,硅橡胶补强剂占总质量的1%-4%,铂金催化剂占硅油总质量的0.2%-1%,抑制剂占硅油总质量的0.01%-0.03%,硅烷偶联剂占导热粉体总质量的0.1%-0.6%;所述低介电常数导热粉体的介电常数≤4。


2.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热粉体包括以下粉体中的任意一种或几种的组合:
介电常数为3.1-3.5的氮化硼粉体、介电常数为3.2-3.6氢氧化铝粉体、介电常数小于3的硅微粉。


3.如权利要求2所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述氮化硼粉体的平均粒径为30-200um,优选为70-200um;所述氢氧化铝粉体的平均粒径为10-70um,优选为20-60um;所述硅微粉的平均粒径为0.4-20um,优选为1-20um。


4.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述硅烷偶联剂包括以下组分中的任意一种或几种的组合:KH560,KH570,KBM5210,KBM3103C,KBM3063。


5.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述乙烯基硅油的粘度为200-20000cps,所述含氢硅油的粘度为10-100cps。


6.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述抑制剂包括以下组分中的任意一种:
3-甲...

【专利技术属性】
技术研发人员:周腾吴庆迪刘晓阳谢毅
申请(专利权)人:苏州天脉导热科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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