【技术实现步骤摘要】
一种高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法
本专利技术涉及压电陶瓷
,具体涉及一种高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法。
技术介绍
压电陶瓷是一种新兴的陶瓷材料,迄今已有一百多年的发展历史。上世纪中期,PZT系压电陶瓷的专利技术,促进了电子技术的飞速发展,从而使各种电子产品出现在我们的面前,压电陶瓷作为其内部精密的元件,可以将电能转换成机械能或者将机械能转换成电能,在电子产品中起到了关键作用。受粉料粒度及浆料中组分的含量影响,流延成型膜片致密度不能继续提高,以致材料的各项性能指标不能有所突破。本专利采用的工艺方法以及原料可以得到密度较高的压电陶瓷坯片,有效改善后期的各项电性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,所述的。压电陶瓷片具有极高的致密度。本专利技术解决其技术问题采用以下技术方案:一种高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,包含以下步骤:S1:按照60~69份四氧化三铅、1~6份碳酸钡、0.1~5份碳酸锶、0.1~0.8份五氧化二锑、16~25份二氧化锆、8~15份二氧化钛、0.2~0.4份三氧化二钴配方称取原料混合后加入搅拌磨机中球磨,加入无水乙醇和磨球,其中料体:无水乙醇:磨球为1:0.2~0.4:2~3;球磨处理后,烘干,得到陶瓷粉料;将陶瓷粉料预烧,得到锆钛酸铅复合陶瓷粉体;S2:将锆钛酸铅复合陶瓷粉体通过球磨工艺预处理,使粒度D50在1μm以下;S3:取70~80份锆钛酸铅复合陶瓷粉体、12~18份乙酸 ...
【技术保护点】
1.一种高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:/nS1:按照60~69份四氧化三铅、1~6份碳酸钡、0.1~5份碳酸锶、0.1~0.8份五氧化二锑、16~25份二氧化锆、8~15份二氧化钛、0.2~0.4份三氧化二钴配方称取原料混合后加入搅拌磨机中球磨,加入无水乙醇和磨球,其中料体:无水乙醇:磨球为1:0.2~0.4:2~3;球磨处理后,烘干,得到陶瓷粉料,将陶瓷粉料预烧,得到锆钛酸铅复合陶瓷粉体;/nS2:将锆钛酸铅复合陶瓷粉体通过球磨工艺预处理,使粒度D50在1μm以下;/nS3:取70~80份锆钛酸铅复合陶瓷粉体、12~18份乙酸丁酯、6~10份醇类溶剂、5~8份粘合剂、1~5份消泡剂、0.6~1份柠檬酸三乙酯充分混合得到浆料;/nS4:将浆料抽真空消泡,在延流机上成型,制备成厚度为36~38μm的流延膜带;/nS5:延流膜带按照90度方向两片或者多片叠加;/nS6:叠加好的膜带进行冷等静压压制;/nS7:等静压的膜带再经过双辊轧机压制,使两片或多片膜带结合,得到单层压电陶瓷膜带;/nS8:将压电陶瓷膜带用冲片机冲片,在550~650℃下排胶,在1200~ ...
【技术特征摘要】
1.一种高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
S1:按照60~69份四氧化三铅、1~6份碳酸钡、0.1~5份碳酸锶、0.1~0.8份五氧化二锑、16~25份二氧化锆、8~15份二氧化钛、0.2~0.4份三氧化二钴配方称取原料混合后加入搅拌磨机中球磨,加入无水乙醇和磨球,其中料体:无水乙醇:磨球为1:0.2~0.4:2~3;球磨处理后,烘干,得到陶瓷粉料,将陶瓷粉料预烧,得到锆钛酸铅复合陶瓷粉体;
S2:将锆钛酸铅复合陶瓷粉体通过球磨工艺预处理,使粒度D50在1μm以下;
S3:取70~80份锆钛酸铅复合陶瓷粉体、12~18份乙酸丁酯、6~10份醇类溶剂、5~8份粘合剂、1~5份消泡剂、0.6~1份柠檬酸三乙酯充分混合得到浆料;
S4:将浆料抽真空消泡,在延流机上成型,制备成厚度为36~38μm的流延膜带;
S5:延流膜带按照90度方向两片或者多片叠加;
S6:叠加好的膜带进行冷等静压压制;
S7:等静压的膜带再经过双辊轧机压制,使两片或多片膜带结合,得到单层压电陶瓷膜带;
S8:将压电陶瓷膜带用冲片机冲片,在550~650℃下排胶,在1200~1300℃下烧结1~2h,被银,极化,即得所述高致密度超薄型压电陶瓷片,所述压电陶瓷片厚度为50μm。
2.根据权利要求1所述的高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,其特征在于,所述料体:无水乙醇:磨球为1:0.3:2.5。
3.根据权利要求1所述的高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,其特征在于,所述醇类溶剂为无水乙醇。
4.根据权利要求1所述的高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,其特征在于,所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛酯。
5.根据权利要求1所述的高致密度超薄型压电陶瓷片的制备方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱惠祥,李枫,
申请(专利权)人:广州凯立达电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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