用于宽频高导磁环生产的制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺，包括主料和辅料，其制备步骤包括：S1、混合处理，取用Fe

【技术实现步骤摘要】
用于宽频高导磁环生产的制造工艺
本专利技术属于软磁抗EMI（ElectromagneticInterference，简称EMI）
，尤其是涉及一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺。
技术介绍
高磁导率铁氧体磁粉、磁芯是实现程控通讯、数字技术、网络通讯彩电等电子设备中用作电感器、滤波器、脉冲变压器等产品使其小型化、轻量化必不可少的电子材料，不断提高磁性材料中的初始磁导率，一直是从事该专业的工程技术人员和生产厂商的追求；到目前为止，用氧化物法生产的高磁导率材料只能达到10000左右，且材料的性能指标，如损耗、频率特性、居里温度等都不尽人意。
技术实现思路
本专利技术为了克服现有技术的不足，提供一种损耗低频率高的用于宽频高导磁环生产的制造工艺。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺，包括主料和辅料，其制备步骤包括S1、混合处理，取用Fe2O345.0-65.0mol％、Mn3O425.0-44.0mol％、ZnO5-15.0mol％混合处理，然后在800-1150℃下进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺，包括主料和辅料，其特征在于：其制备步骤包括：/nS1、混合处理，取用Fe2O3 65.0mol％、Mn 3 O 4 44.0mol％、ZnO 15.0mol％混合处理，然后在1150℃下进行预烧；/nS2、粉碎处理，将经预烧处理后原料震荡粉碎65min，粉碎后颗粒粒径为150μm；/nS3、加醇搅拌，向经过粉碎后物料当中加入醇溶液，超声波震荡120min;/nS4、向物料中中分别加入 TiO2、MoO3、V2O5、Bi2O3、CaCO3、SiO2、Nb2O5、SnO2、Co2O3、CuO 作为添加剂，改善材料的频率特性和损耗特性；/nS4、喷雾造粒;/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺，包括主料和辅料，其特征在于：其制备步骤包括：
S1、混合处理，取用Fe2O365.0mol％、Mn3O444.0mol％、ZnO15.0mol％混合处理，然后在1150℃下进行预烧；
S2、粉碎处理，将经预烧处理后原料震荡粉碎65min，粉碎后颗粒粒径为150μm；
S3、加醇搅拌，向经过粉碎后物料当中加入醇溶液，超声波震荡120min;
S4、向物料中中分别加入TiO2、MoO3、V2O5、Bi2O3、CaCO3、SiO2、Nb2O5、SnO2、Co2O3、CuO作为添加剂，改善材料的频率特性和损耗特性；
S4、喷雾造粒;
S5、成型处理；
S6、烧结处理，成型后所得的毛坯置于氮气燃烧窑当中，在氧含量0.50%-35.00%的气氛中烧结处理；
所述醇溶液为PVA溶液；
步骤S4中添加剂的各组分量为TiO245-65ppm、MoO360-78ppm、V2O520-42ppm、Bi2O358-65ppm、CaCO332-42ppm、SiO255-61ppm、Nb2O550-66ppm、SnO248-68ppm、Co2O333-42ppm、CuO45-65ppm；
所述氮气燃烧窑包括窑体（1）、用于推送磁环进入至窑体内的进料装置及出料装置，所述窑体（1）内设有用于将磁环由所述窑体（1）一端输送至另一端的输送部件（2）、设于所述窑体（1）内的多个加热部件（3）、用于向所述窑体（1）内输入气体的送气部件（4）及用于降低所述窑体（1）一端温度以冷却磁环的冷却部件（5），所述冷却部件（5）设于所述窑体（1）一端；
所述窑体（1）为一方形的窑体，该窑体（1）上设有两块由上至下倾斜设置的导热板（11），该导热板（11）为的弧形设置，该导热板（11）有两块，并且两块导热板（11）为对称设置；
所述输送部件（2）包括设于所述窑体（1）内的支架（21）、设于所述支架（21...

【专利技术属性】
技术研发人员：燕杰，陈志华，谢文革，赵武奇，吴斌，
申请(专利权)人：浙江春晖磁电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33