一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料的化学组成为x ABZSL玻璃‑(1‑x)Zn

【技术实现步骤摘要】
一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料及其制造使用领域。
技术介绍
低温共烧陶瓷是近四十年来开发的新型材料技术，他汇集了高温共烧陶瓷技术和厚膜技术的优点，是实现高集成度、高性能电子封装的主流技术，与传统的印制电路板相比，低温共烧基板具有高度的化学稳定性和热稳定性，较高的机械强度和热导率，低温共烧基板的介电常数低，具有更好的高频性能，陶瓷能与高电导金属在空气中共烧，减少了电路损耗，导线可以做的更细，更有利于高密度、高集成布线，有利于器件的小型化，集成化，所以对高性能低温共烧陶瓷材料的需求越来越迫切。另外现有的低温共烧材料难以系列化，介电损耗和温度系数过大导致了难以批量生产和发展。综上所说，低介电常数，低损耗，性能稳定的低温共烧材料及其制备方法是我们研究的重中之重。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过将低熔点的微晶玻璃与具有良好微波介电性能的微波介质陶瓷复合，使得到的复合材料满足900℃以下烧结的同时，具有可调的介电常数及损耗低于4×10-4的低温共烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的化学组成为x ABZSL玻璃 -(1-x) Zn

【技术特征摘要】
1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的化学组成为xABZSL玻璃-(1-x)Zn2SiO4，其中5.0wt％≤x≤60.0wt％；ABZSL玻璃的组分包括10.0～30.0mol%Al2O3、30.0～45.0mol%B2O3、25.0～35.0mol%ZnO、5.0～15.0mol%SiO2、2.0～10.0mol%La2O3，ABZSL玻璃中各组分摩尔百分比之和为100mol%；优选地，所述ABZSL玻璃的组分为20.0mol%Al2O3、35.0mol%B2O3、30.0mol%ZnO、9.0mol%SiO2、6.0mol%La2O3。


2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于：所述低温共烧陶瓷材料的介电常数为4.3～6.3，介电损耗正切角＜4×10-4，品质因数为10000～44000GHz，谐振频率温度系数为-35.5～-10.2ppm/℃。


3.一种权利要求1或2所述的低温共烧陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：
将ABZSL玻璃粉和Zn2SiO4陶瓷粉按照xABZSL-(1-x)Zn2SiO4的质量百分比混合后加入粘结剂造粒，压制成型得到坯体；
将所述坯体于800～900℃烧结1.0～3.0小时，得到所述低温共烧陶瓷材料。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述ABZSL玻璃粉的制备方法包括：
选用Al源、B源、Zn源、Si源、La源作为原料粉体，按照（10.0～30.0）：（30.0～45.0）：（25...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵相毓，林慧兴，张奕，何飞，姚晓刚，姜少虎，顾忠元，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31