灭弧室以及断路器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种灭弧室以及断路器，包括底座和设于底座上的中座以及盖合于底座和中座上的盖体，灭弧片垂直于底座设置，且相邻的灭弧片之间具有灭弧间隙，中座在远离磁支架的一端设有用于封堵灭弧间隙的挡弧筋组，上层挡弧筋和下层挡弧筋分别遮挡相邻的两个灭弧间隙的上部和下部。电弧可以经过灭弧间隙形成灭弧通道，且灭弧片的尾端并未完全封堵，其通过相互交错的上层挡弧筋和下层挡弧筋分别对灭弧片的尾端进行封堵，即灭弧间隙的仅上部分封堵或下部分封堵，能够对灭弧气流引导形成连通的通气通道，从而加快气体的流动，使得电弧容易从磁支架上移动至灭弧室内并朝向灭弧室的尾部移动，减小电弧的熄灭时间。

【技术实现步骤摘要】
灭弧室以及断路器
本技术涉及断路器结构的
，具体涉及一种灭弧室以及断路器。
技术介绍
对于现有技术中的断路器，其一般都需要设置灭弧室进行灭弧，其中，灭弧室一般采用传统的金属栅片灭弧室，灭弧室上部的灭弧片及周边采用三聚氢胺层压板。电弧产生时，三聚氢胺层压板受热释放出一种气体，该气体由助于熄灭电弧。灭弧室上部的灭弧片层压板冲出若干个大小均等的孔，通过该孔释放气流和热量，从而达到灭弧的目的。但是，现有的灭弧室中的灭弧通道一般位于灭弧室的尾部，此时无论灭弧室外部的缓冲区空间的大小，其一般都是仅通过外壳上凸起的筋条和灭弧室外缘的夹板进行遮挡，且外壳上凸起的筋条以及灭弧室外缘的夹板和灭弧片之间的距离不等，导致缓冲区的空间分布不均匀，且部分区域的缓冲区存在气流通道不顺畅的问题，若将灭弧室的尾部完全进行遮挡，会导致电弧不易进入灭弧室，灭弧室的利用效率较低，进入灭弧室的电弧还可以出现背后击穿的现象，从而降低断路器的开断性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种灭弧室，以解决现有技术中存在的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种灭弧室，包括底座和设于所述底座上的中座以及盖合于所述底座和所述中座上的盖体，所述中座内开设有用于容纳若干灭弧片的容纳腔，所述灭弧片垂直于所述底座设置，且相邻的所述灭弧片之间具有灭弧间隙，磁支架可延伸至所述灭弧片上，所述中座在远离所述磁支架的一端设有用于封堵所述灭弧间隙的挡弧筋组，所述挡弧筋组包括相互交错设置的上层挡弧筋和下层挡弧筋，所述上层挡弧筋和所述下层挡弧筋分别遮挡相邻的两个所述灭弧间隙的上部和下部。进一步地，所述中座上横设有隔板，所述隔板平行于所述底座设置，且所述隔板的外缘朝向所述盖体凸设有上缓冲壁，所述隔板、所述盖体以及所述上缓冲壁之间围合形成有上缓冲区，所述灭弧间隙的上部可与所述上缓冲区相连通；所述隔板的外缘朝向所述底座的一侧凸设有下缓冲壁，所述隔板、所述底座和所述下缓冲壁之间形成有下缓冲区，所述灭弧间隙的下部可与所述下缓冲区相连通；靠近所述磁支架的一侧的所述下层挡弧筋具有缺口，且靠近所述磁支架的一侧的所述灭弧间隙的下部未封堵。进一步地，所述上缓冲区在远离所述磁支架的一侧开设有第一出气口，所述下缓冲区在远离所述磁支架的一侧开设有第二出气口。进一步地，所述上层挡弧筋凸设于所述隔板远离所述底座的一侧，所述上层挡弧筋包括若干间隔设置的上层挡块，每一所述上层挡块均对应一所述灭弧间隙的上方；所述下层挡弧筋凸设于所述隔板靠近所述底座的一侧，所述下层挡弧筋包括若干间隔设置的下层挡块，每一所述下层挡块均对应一所述灭弧间隙的下方；所述上层挡块和所述下层挡块交错设置。进一步地，位于远离所述磁支架的一端的所述上层挡块的一侧设有拐角板，所述拐角板封堵最远离所述磁支架的一端的所述灭弧间隙。进一步地，位于最靠近所述磁支架的一侧的所述灭弧片和所述中座的边缘之间具有出气通道，所述中座上开设有连接所述出气通道和所述上缓冲区的第三出气口以及连接所述出气通道和所述下缓冲区的第四出气口。进一步地，所述第三出气口的横截面面积大于所述第四出气口的横截面面积。进一步地，所述上缓冲壁在朝向所述出气通道的一侧延伸有围合于所述出气通道外缘的延伸壁。进一步地，所述中座在用于固定所述磁支架的固定柱的一侧还开设有第五出气口。本技术还提供一种断路器，包括磁支架和如上所述的灭弧室，所述磁支架可延伸至所述灭弧室上，且所述磁支架上设有静触头。本技术提供的灭弧室以及断路器的有益效果在于：与现有技术相比，本技术灭弧室以及断路器，中座框设在底座内，且灭弧片设置在中座的容纳腔内，从而通过中座的外缘对灭弧片的位置进行限定，电弧可以经过灭弧间隙形成灭弧通道，且灭弧片的尾端并未完全封堵，其通过相互交错的上层挡弧筋和下层挡弧筋分别对灭弧片的尾端进行封堵，即灭弧间隙的仅上部分封堵或下部分封堵，能够对灭弧气流引导形成连通的通气通道，将灭弧片之间的间隙和外部实现连通，从而加快气体的流动，使得电弧容易从磁支架上移动至灭弧室内并朝向灭弧室的尾部移动，减小电弧的熄灭时间。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的灭弧室的主视结构示意图，其中盖体未示；图2为本技术实施例提供的灭弧室的俯视结构示意图，其中盖体未示；图3为沿图2中A-A线的剖视结构图；图4为沿图2中B-B线的剖视结构图；图5为本技术实施例提供的灭弧室的立体结构示意图一，其中盖体未示；图6为本技术实施例提供的灭弧室的立体结构示意图二，其中盖体未示；图7为图6中的C部分的局部放大结构示意图；图8为本技术实施例提供的灭弧室的后视结构示意图，其中底座未示。附图标记说明：1、底座；2、中座；3、盖体；4、灭弧片；5、磁支架；21、容纳腔；22、挡弧筋组；23、隔板；24、上缓冲区；25、下缓冲区；26、出气通道；27、第三出气口；28、第四出气口；29、第五出气口；221、上层挡弧筋；222、下层挡弧筋；231、上缓冲壁；232、下缓冲壁；233、第一出气口；234、第二出气口；235、延伸壁；31、拐角板；41、灭弧间隙；51、静触头。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。请一并参阅图1至图4，现对本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.灭弧室，包括底座(1)和设于所述底座(1)上的中座(2)以及盖合于所述底座(1)和所述中座(2)上的盖体(3)，所述中座(2)内开设有用于容纳若干灭弧片(4)的容纳腔(21)，所述灭弧片(4)垂直于所述底座(1)设置，且相邻的所述灭弧片(4)之间具有灭弧间隙(41)，磁支架(5)可延伸至所述灭弧片(4)上，其特征在于：所述中座(2)在远离所述磁支架(5)的一端设有用于封堵所述灭弧间隙(41)的挡弧筋组(22)，所述挡弧筋组(22)包括相互交错设置的上层挡弧筋(221)和下层挡弧筋(222)，所述上层挡弧筋(221)和所述下层挡弧筋(222)分别遮挡相邻的两个所述灭弧间隙(41)的上部和下部。/n

【技术特征摘要】
1.灭弧室，包括底座(1)和设于所述底座(1)上的中座(2)以及盖合于所述底座(1)和所述中座(2)上的盖体(3)，所述中座(2)内开设有用于容纳若干灭弧片(4)的容纳腔(21)，所述灭弧片(4)垂直于所述底座(1)设置，且相邻的所述灭弧片(4)之间具有灭弧间隙(41)，磁支架(5)可延伸至所述灭弧片(4)上，其特征在于：所述中座(2)在远离所述磁支架(5)的一端设有用于封堵所述灭弧间隙(41)的挡弧筋组(22)，所述挡弧筋组(22)包括相互交错设置的上层挡弧筋(221)和下层挡弧筋(222)，所述上层挡弧筋(221)和所述下层挡弧筋(222)分别遮挡相邻的两个所述灭弧间隙(41)的上部和下部。


2.如权利要求1所述的灭弧室，其特征在于：所述中座(2)上横设有隔板(23)，所述隔板(23)平行于所述底座(1)设置，且所述隔板(23)的外缘朝向所述盖体(3)凸设有上缓冲壁(231)，所述隔板(23)、所述盖体(3)以及所述上缓冲壁(231)之间围合形成有上缓冲区(24)，所述灭弧间隙(41)的上部可与所述上缓冲区(24)相连通；
所述隔板(23)的外缘朝向所述底座(1)的一侧凸设有下缓冲壁(232)，所述隔板(23)、所述底座(1)和所述下缓冲壁(232)之间形成有下缓冲区(25)，所述灭弧间隙(41)的下部可与所述下缓冲区(25)相连通；
靠近所述磁支架(5)的一侧的所述下层挡弧筋(222)具有缺口，且靠近所述磁支架(5)的一侧的所述灭弧间隙(41)的下部未封堵。


3.如权利要求2所述的灭弧室，其特征在于：所述上缓冲区(24)在远离所述磁支架(5)的一侧开设有第一出气口(233)，所述下缓冲区(25)在远离所述磁支架(5)的一侧开设有第二出气口(234)。


4.如权利要求2所述的灭弧室，...

【专利技术属性】
技术研发人员：史胜余，陈百胜，程荣利，李海茭，
申请(专利权)人：德力西电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33